[發(fā)明專利]修復(fù)器件以及包括修復(fù)器件的半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810144047.3
• 申請日: 2018-02-12
• 公開（公告）號: CN109390022B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金鐘三
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C17/16
• 分類號: G11C17/16;G11C29/44
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363
• 代理人: 李少丹;許偉群

公開了一種修復(fù)器件和包括該修復(fù)器件的半導(dǎo)體器件，其涉及用于封裝后修復(fù)(PPR)器件的技術(shù)。修復(fù)器件包括：時鐘發(fā)生器，其被配置為產(chǎn)生與可用熔絲相對應(yīng)的熔絲時鐘信號；熔絲選擇電路，其被配置為區(qū)分熔絲時鐘信號中的第一時鐘信號和第二時鐘信號；熔絲信號發(fā)生器，其被配置為在封裝后修復(fù)(PPR)模式期間輸出與第一時鐘信號相對應(yīng)的第一修復(fù)信號和與第二時鐘信號相對應(yīng)的第二修復(fù)信號；以及輸出電路，其被配置為響應(yīng)于第一修復(fù)信號而通過檢測剩余的未使用熔絲的地址信息來輸出第一輸出信號，或者被配置為通過檢測剩余的未使用熔絲的地址信息來輸出第二輸出信號。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2017年8月11日提交的申請?zhí)枮?0-2017-0102266的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的實(shí)施例總體而言可以涉及一種修復(fù)器件以及包括該修復(fù)器件的半導(dǎo)體器件，并且更具體地，涉及一種用于封裝后修復(fù)(PPR)器件的技術(shù)。

背景技術(shù)

當(dāng)在多個存儲單元的至少一個存儲單元中發(fā)生缺陷或錯誤時，具有缺陷存儲單元的半導(dǎo)體存儲器件作為缺陷產(chǎn)品被丟棄。隨著越來越多的半導(dǎo)體存儲器件以更高的速度發(fā)展到更高的集成度，半導(dǎo)體器件具有缺陷存儲單元的可能性更大?？紤]到成本和生產(chǎn)率，由于半導(dǎo)體存儲器件中的少量缺陷存儲單元而丟棄整個半導(dǎo)體存儲器件導(dǎo)致半導(dǎo)體存儲器件的產(chǎn)量降低是低效的。

因此，為了提高半導(dǎo)體存儲器件的產(chǎn)量，許多開發(fā)商和公司正在對高效地修復(fù)半導(dǎo)體存儲器件的缺陷單元的方法進(jìn)行深入的研究。

通常，半導(dǎo)體存儲器件包括冗余存儲單元。當(dāng)在完成這種封裝之后出現(xiàn)缺陷存儲單元或者故障存儲單元時，用冗余存儲單元替換缺陷存儲單元，從而修復(fù)半導(dǎo)體存儲器件。在封裝狀態(tài)下的測試完成之后用冗余存儲單元替換缺陷存儲單元的方法被稱為封裝后修復(fù)(PPR)。

PPR技術(shù)能夠利用電熔絲(例如，陣列電熔絲：ARE)來修復(fù)在晶片狀態(tài)中未被發(fā)現(xiàn)并且在封裝完成之后產(chǎn)生的缺陷存儲單元，使得能夠通過PPR過程而增加封裝生產(chǎn)率。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的各種實(shí)施例旨在提供一種修復(fù)器件以及包括該修復(fù)器件的半導(dǎo)體器件，其基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個或更多個問題。

本公開的實(shí)施例涉及這樣一種技術(shù)，其在PPR過程期間分開使用熔絲區(qū)并輸出關(guān)于可用熔絲的信息，使得可用熔絲在PPR過程期間可以正常操作。

根據(jù)本公開的一個實(shí)施例，一種修復(fù)器件包括：時鐘發(fā)生器，其被配置為基于指示熔絲是否被使用的熔絲信號來產(chǎn)生與可用熔絲相對應(yīng)的熔絲時鐘信號；熔絲選擇電路，其被配置為響應(yīng)于第一信號和第二信號來區(qū)分熔絲時鐘信號中的第一時鐘信號和第二時鐘信號；熔絲修復(fù)信號發(fā)生器，其被配置為在封裝后修復(fù)(PPR)模式期間輸出與第一時鐘信號相對應(yīng)的第一修復(fù)信號和與第二時鐘信號相對應(yīng)的第二修復(fù)信號；以及輸出電路，其被配置為響應(yīng)于第一修復(fù)信號而通過檢測剩余的未使用熔絲的地址信息來輸出第一輸出信號，或者被配置為響應(yīng)于第二修復(fù)信號而通過檢測剩余的未使用熔絲的地址信息來輸出第二輸出信號。

根據(jù)本公開的另一個實(shí)施例，一種半導(dǎo)體存儲器件包括：存儲單元陣列，其包括第一存儲單元區(qū)和第二存儲單元區(qū)；以及包括熔絲陣列的修復(fù)器件，該熔絲陣列包括分別與第一存儲單元區(qū)和第二存儲單元區(qū)相對應(yīng)的第一熔絲組和第二熔絲組，并且修復(fù)器件被配置為在封裝后修復(fù)(PPR)模式下通過使用熔絲陣列來控制存儲單元陣列，以對第一存儲單元區(qū)和第二存儲單元區(qū)交替地執(zhí)行修復(fù)操作。