[發(fā)明專利]單光譜求取多孔膜厚度和孔隙率的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810143998.9 | 申請(qǐng)日: | 2018-02-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108332674B | 公開(公告)日: | 2020-01-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 祁志美;萬秀美;高然;張萌穎;方東明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院電子學(xué)研究所 |
| 主分類號(hào): | G01B11/06 | 分類號(hào): | G01B11/06;G01N15/08 |
| 代理公司: | 11021 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 曹玲柱 |
| 地址: | 100190 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多孔膜 孔隙率 共振 共振光譜 實(shí)測(cè) 測(cè)試條件 單光譜 共振峰 光波導(dǎo) 導(dǎo)模 芯片 測(cè)量精度高 共振條件 厚度關(guān)系 導(dǎo)波層 緩沖膜 電導(dǎo) 橫磁 基底 擬合 測(cè)量 承載 透明 | ||
1.一種單光譜求取多孔膜厚度和孔隙率的方法,包括:
獲得包括透明基底、緩沖膜和待測(cè)多孔膜依次設(shè)置的光波導(dǎo)共振芯片,其中,所述待測(cè)多孔膜作為導(dǎo)波層,能夠承載至少兩個(gè)橫電導(dǎo)模或至少兩個(gè)橫磁導(dǎo)模;
在給定測(cè)試條件下以入射角或入射光波長(zhǎng)為變量,獲取所述光波導(dǎo)共振芯片的單個(gè)實(shí)測(cè)共振光譜,使得該實(shí)測(cè)共振光譜包含至少兩個(gè)共振峰或至少兩個(gè)共振谷,選取k個(gè)共振峰或k個(gè)共振谷,其對(duì)應(yīng)的入射角或入射光波長(zhǎng)分別為k個(gè)不同級(jí)數(shù)導(dǎo)模的共振角或共振波長(zhǎng),k≥2;
通過在所述給定測(cè)試條件下對(duì)所述k個(gè)共振峰或k個(gè)共振谷分別進(jìn)行仿真擬合,以求取分別滿足k個(gè)不同級(jí)數(shù)導(dǎo)模的共振條件下,表征所述待測(cè)多孔膜的孔隙率和厚度關(guān)系的k個(gè)函數(shù);
求解同時(shí)滿足至少兩個(gè)所述函數(shù)的孔隙率和厚度,即為所述待測(cè)多孔膜的孔隙率和厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中:
以入射角為變量時(shí),所述給定測(cè)試條件包括:入射光波長(zhǎng)給定、入射光偏振態(tài)給定、以及多孔膜一側(cè)的覆蓋層給定;
以入射光波長(zhǎng)為變量時(shí),所述給定測(cè)試條件包括:入射角給定、入射光偏振態(tài)給定、以及多孔膜一側(cè)的覆蓋層給定。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,對(duì)所述k個(gè)共振峰或k個(gè)共振谷中位于實(shí)測(cè)共振光譜的第K個(gè)共振峰或共振谷進(jìn)行仿真擬合的步驟包括:
設(shè)定M個(gè)所述待測(cè)多孔膜的孔隙率Pm,其中,m=1,2,3,……,M,M≥2;
將孔隙率Pm與所述待測(cè)多孔膜的不同厚度設(shè)定值dm’組合,在所述給定測(cè)試條件下利用該組合獲取所述光波導(dǎo)共振芯片的仿真共振光譜,將所述仿真共振光譜的第K個(gè)共振峰或共振谷與所述實(shí)測(cè)共振光譜中第K個(gè)共振峰或共振谷所對(duì)應(yīng)的共振角或共振波長(zhǎng)相等時(shí)的厚度設(shè)定值作為厚度最優(yōu)值dm,該厚度最優(yōu)值dm與孔隙率Pm組成數(shù)據(jù)點(diǎn)(Pm、dm);
由數(shù)據(jù)點(diǎn)(P1、d1)、(P2、d2)、……、(PM、dM)擬合得到孔隙率和厚度之間的函數(shù),θR=f(P、d)或λR=g(P、d),這里θR或λR代表實(shí)測(cè)共振光譜中第K個(gè)共振峰或共振谷對(duì)應(yīng)的共振角或共振波長(zhǎng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中,所述仿真共振光譜通過以下步驟獲得:
根據(jù)孔隙率和折射率的關(guān)系,得到與設(shè)定的孔隙率Pm對(duì)應(yīng)的所述待測(cè)多孔膜的平均折射率nm;
在所述給定測(cè)試條件下,將平均折射率nm和厚度設(shè)定值dm’的組合代入到Fresnel公式,得到該組合下所述光波導(dǎo)共振芯片的仿真共振光譜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中,所述孔隙率與折射率的關(guān)系為Bruggeman有效介質(zhì)近似方程、Maxwell Garnett有效介質(zhì)近似公式或Lorentz-Lorenz有效介質(zhì)近似公式中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中,所述Bruggeman有效介質(zhì)近似方程為:
其中,na、nb分別代表待測(cè)多孔膜中的骨架材料、孔內(nèi)填充介質(zhì)的折射率,n代表待測(cè)多孔膜的平均折射率。
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