[發(fā)明專利]一種化學(xué)氣相沉積制備鎳薄膜、碳化鎳薄膜的設(shè)備及其方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810143831.2 | 申請日: | 2018-02-12 |
| 公開(公告)號: | CN108385084A | 公開(公告)日: | 2018-08-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉忠偉;楊麗珍;郭群;朱惠欽 | 申請(專利權(quán))人: | 北京印刷學(xué)院 |
| 主分類號: | C23C16/18 | 分類號: | C23C16/18;C23C16/32;C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司: | 煙臺雙聯(lián)專利事務(wù)所(普通合伙) 37225 | 代理人: | 張增輝 |
| 地址: | 102600 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 碳化鎳 鎳薄膜 薄膜 制備 化學(xué)氣相沉積 揮發(fā) 加熱 加熱爐 薄膜制備工藝 熱分解反應(yīng) 臺階覆蓋率 選擇性沉積 形貌 薄膜沉積 薄膜粒子 薄膜制備 沉積腔室 基材表面 基礎(chǔ)表面 加熱裝置 三維基材 工藝流程 沉積腔 單體瓶 副產(chǎn)物 調(diào)控 鎳碳 載氣 沉積 | ||
本發(fā)明涉及一種化學(xué)氣相沉積制備鎳薄膜、碳化鎳薄膜的設(shè)備及其方法。為了解決已有鎳薄膜、碳化鎳薄膜制備方法存在的工藝流程復(fù)雜、薄膜粒子尺寸與形貌難以調(diào)控、三維基材臺階覆蓋率差的不足,本發(fā)明的制備鎳薄膜、碳化鎳薄膜的方法,在該方法中,使用加熱裝置對鎳單體瓶進(jìn)行加熱,將鎳單體揮發(fā)為氣體,氣態(tài)鎳與載氣混合后通入沉積腔中,使用加熱爐對沉積腔室進(jìn)行加熱,氣態(tài)的鎳單體在基材表面發(fā)生熱分解反應(yīng)生成鎳薄膜、碳化鎳薄膜與可揮發(fā)的副產(chǎn)物,鎳薄膜、碳化鎳薄膜沉積在基礎(chǔ)表面,即得到鎳薄膜、碳化鎳薄膜。本發(fā)明方法相比于其他鎳、碳化鎳薄膜制備工藝,操作簡便。本發(fā)明通過調(diào)控沉積溫度,可以選擇性沉積鎳薄膜、碳化鎳薄膜并可以調(diào)節(jié)鎳碳比例。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種制備鎳薄膜、碳化鎳薄膜的設(shè)備及其方法,具體涉及一種化學(xué)氣相沉積制備鎳薄膜、碳化鎳薄膜的設(shè)備及其方法,屬于催化與超級電容領(lǐng)域。
背景技術(shù)
過渡金屬鎳具有優(yōu)良的導(dǎo)電、導(dǎo)熱與鐵磁性,同時在催化、光電領(lǐng)域具有獨(dú)特的性能,因而得到廣泛的研究與應(yīng)用。近年來,其碳化物如碳化鎳在電能儲存、析氫反應(yīng)中表現(xiàn)出優(yōu)異的催化性能而備受人們的關(guān)注。目前,鎳薄膜、碳化鎳薄膜的制備方法主要有濕化學(xué)合成,物理氣相沉積等,存在著工藝流程復(fù)雜、薄膜粒子尺寸與形貌難以調(diào)控、三維基材臺階覆蓋率差等缺點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決已有鎳薄膜、碳化鎳薄膜制備方法存在的工藝流程復(fù)雜、薄膜粒子尺寸與形貌難以調(diào)控、三維基材臺階覆蓋率差的不足,提供一種能夠制備鎳薄膜、碳化鎳薄膜的設(shè)備,該設(shè)備是采用化學(xué)氣相沉積法制備鎳薄膜、碳化鎳薄膜,該方法工藝流程簡單,能夠在復(fù)雜的三維基底上沉積具有相對優(yōu)良的臺階覆蓋性薄膜,并且薄膜成分與形貌易于控制。
本發(fā)明的化學(xué)氣相沉積鎳薄膜、碳化鎳薄膜的設(shè)備是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
一種化學(xué)氣相沉積鎳薄膜、碳化鎳薄膜的設(shè)備,其特殊之處在于:包括載氣瓶1、氫氣瓶12,所述載氣瓶1、氫氣瓶12的輸出端均通過管道連接有鎳單體瓶2,所述鎳單體瓶2的輸出端通過管道連接有沉積腔6,所述沉積腔6的輸出端通過管道連接有機(jī)械泵7,所述載氣瓶1、氫氣瓶12與鎳單體瓶2之間的管道上均依次安裝有手動閥3、質(zhì)量流量計4、氣動閥5,所述鎳單體瓶2與沉積腔6之間、沉積腔6與機(jī)械泵7之間的管道上均安裝有氣動閥5,所述鎳單體瓶2的外側(cè)包裹有加熱裝置8,所述沉積腔6前后兩側(cè)均設(shè)有加熱爐9,所述沉積腔6的內(nèi)部設(shè)有基片臺10,基片臺10的上方安裝有基材11;
所述載氣瓶1、氫氣瓶12與鎳單體瓶2之間的管道上依次安裝有手動閥3、質(zhì)量流量計4、氣動閥5是指從載氣瓶1開始的管道上依次安裝有手動閥3、質(zhì)量流量計4、氣動閥5;
所述載氣瓶1中的氣體為氮?dú)狻鍤狻⒑庵械囊环N或任意兩種或三種的混合氣體,氣體的流量均由質(zhì)量流量計控制;
所述氫氣瓶12中的氣體為氫氣,氫氣的流量由質(zhì)量流量計控制;
所述鎳單體瓶2外側(cè)包裹的加熱裝置8為電熱毯或加熱帶,能夠?qū)︽噯误w瓶加熱,獲得足夠的鎳單體蒸汽壓;
所述沉積腔6是由金屬管或石英管或剛玉管組成的腔體;
所述基片臺10為半圓柱形的外殼,其內(nèi)部設(shè)置有加熱棒與熱電偶,放置在沉積腔6中,平面向上,曲面向下;
基材可為粉體多孔材料,如分子篩、三氧化二鋁或塊體泡沫鎳、泡沫銅等;也可以為片狀平面材料如玻璃、硅片、金屬基材等。
所述的鎳單體為有機(jī)金屬鎳(bis(1,3-diazabutadienyl)-nickel, Ni(DAD)2)的一種,均為固態(tài)。由載氣攜帶進(jìn)入沉積腔內(nèi),在惰性氣氛(氮?dú)狻鍤狻⒑猓┗驓錃獾臍夥罩邪l(fā)生熱分解反應(yīng)生成金屬鎳或碳化鎳沉積在基材上。
本發(fā)明的化學(xué)氣相沉積鎳薄膜、碳化鎳薄膜的方法是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





