[發明專利]一種相移掩膜板的制作方法及相移掩膜板有效
| 申請號： | 201810143213.8 | 申請日： | 2018-02-11 |
| 公開（公告）號： | CN108345171B | 公開（公告）日： | 2020-01-21 |
| 發明（設計）人： | 劉明懸;郭會斌;宋勇志;張小祥;徐文清;吳祖謀;李小龍 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/26 | 分類號： | G03F1/26 |
| 代理公司： | 11291 北京同達信恒知識產權代理有限公司 | 代理人： | 郭潤湘 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖案 光刻膠層 遮擋層 相移掩膜 金屬 相位轉換 掩模圖形 襯底基板 描畫 對位偏差 相位轉移 正投影 自對準 刻蝕 移位 制作 對準 曝光 保證 | ||
1.一種相移掩膜板的制作方法，其特征在于，包括：
在襯底基板上形成金屬遮擋層圖案；
在所述金屬遮擋層圖案之上依次形成相位轉換層和第一光刻膠層；
以所述金屬遮擋層圖案作為掩模圖形，對所述第一光刻膠層進行構圖，以對所述第一光刻膠層進行欠曝光的方式形成第一光刻膠層圖案；其中，所述第一光刻膠層圖案在所述襯底基板上的正投影完全覆蓋且大于所述金屬遮擋層圖案；
以所述第一光刻膠層圖案作為掩模圖形，對所述相位轉換層進行刻蝕，形成相位轉換層圖案；其中，所述相位轉換層圖案與所述第一光刻膠層圖案一致。
2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述以所述金屬遮擋層圖案作為掩模圖形，對所述第一光刻膠層進行構圖，形成第一光刻膠層圖案，具體包括：
從所述襯底基板一側采用曝光機，利用所述金屬遮擋層圖案的遮擋，使光照通過具有透光特性的相位轉換層，對所述第一光刻膠層進行曝光，形成第一光刻膠層圖案。
3.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成金屬遮擋層圖案，具體包括：
在所述襯底基板上依次形成金屬遮擋層和第二光刻膠層；
對所述第二光刻膠層進行構圖，形成第二光刻膠層圖案；
以所述第二光刻膠層圖案作為掩膜圖形，對所述金屬遮擋層進行刻蝕，形成所述金屬遮擋層圖案；
去除所述第二光刻膠層圖案。
4.如權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述對所述第二光刻膠層進行構圖，形成第二光刻膠層圖案，具體包括：
對所述第二光刻膠層采用描畫機進行描畫構圖，形成第二光刻膠層圖案。
5.如權利要求1-4任一項所述的制作方法，其特征在于，在形成相位轉換層圖案之后，還包括：
去除所述第一光刻膠層圖案。
6.一種相移掩膜板，其特征在于，采用如權利要求1-5任一項所述的制作方法制備，所述相移掩膜板包括：襯底基板，位于所述襯底基板上的金屬遮擋層圖案，以及覆蓋且大于所述金屬遮擋層圖案的相位轉換層圖案。
7.如權利要求6所述的相移掩膜板，其特征在于，所述相位轉換層圖案在所述襯底基板上的正投影超出所述金屬遮擋層圖案的寬度一致。
8.如權利要求7所述的相移掩膜板，其特征在于，所述相位轉換層圖案在所述襯底基板上的正投影超出所述金屬遮擋層圖案的寬度為0.3μm～1μm。
9.如權利要求6所述的相移掩膜板，其特征在于，所述金屬遮擋層的材料為鉻。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
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