[發(fā)明專(zhuān)利]一種二次電子發(fā)射系數(shù)測(cè)量和能譜分析裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810141609.9 | 申請(qǐng)日： | 2018-02-11 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN110161065A | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-08-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 任成燕;李楊威;孔飛;邵濤;章程;劉俊標(biāo);趙偉霞 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院電工研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G01N23/22 | 分類(lèi)號(hào)： | G01N23/22 |
| 代理公司： | 北京君泊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11496 | 代理人： | 王程遠(yuǎn);胡玉章 |
| 地址： | 100190 *** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 收集極 樣品臺(tái)模塊 偏壓電源 抑制柵網(wǎng) 屏蔽柵網(wǎng) 二次電子發(fā)射系數(shù) 能譜分析裝置 同一直線 電子槍 屏蔽罩 樣品座 通孔 絕緣層 測(cè)量 弱電流測(cè)量 偏壓裝置 同軸布置 由內(nèi)向外 中心軸線 裝置連接 加熱層 冷卻層 真空腔 | ||
1.一種二次電子發(fā)射系數(shù)測(cè)量和能譜分析裝置，其特征在于，包括：
收集極模塊，其包括屏蔽柵網(wǎng)(3)、抑制柵網(wǎng)(4)、收集極(5)和屏蔽罩(6)，所述屏蔽柵網(wǎng)(3)、所述抑制柵網(wǎng)(4)、所述收集極(5)和所述屏蔽罩(6)由內(nèi)向外依次同軸布置形成多層筒狀結(jié)構(gòu)，所述屏蔽柵網(wǎng)(3)、所述抑制柵網(wǎng)(4)、所述收集極(5)和所述屏蔽罩(6)的中心均設(shè)有通孔，且所有通孔均處于同一直線上；
樣品臺(tái)模塊，其包括從下往上依次設(shè)置的冷卻層(7)、加熱層(8)、絕緣層(9)和樣品座(10)，樣品(11)置于所述樣品座(10)上；
偏壓裝置，其包括第一偏壓電源(12)和第二偏壓電源(13)，所述第一偏壓電源(12)與所述收集極(5)連接，所述第二偏壓電源(13)與所述抑制柵網(wǎng)(4)連接；
真空腔(2)，所述收集極模塊和所述樣品臺(tái)模塊均設(shè)于所述真空腔(2)內(nèi)，且所述收集極模塊位于所述樣品臺(tái)模塊的正上方；
電子槍(1)，其設(shè)于所述收集極模塊的正上方，且所述電子槍(1)、所述收集極模塊和所述樣品臺(tái)模塊的中心軸線位于同一直線上；
所述屏蔽柵網(wǎng)(3)、所述抑制柵網(wǎng)(4)、所述收集極(5)和所述樣品座(10)分別與不同的弱電流測(cè)量裝置連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電子發(fā)射系數(shù)測(cè)量和能譜分析裝置，其特征在于，所述電子槍(1)輸出電子能量為50eV～30k eV，且具有直流和脈沖兩種工作模式。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電子發(fā)射系數(shù)測(cè)量和能譜分析裝置，其特征在于，所述屏蔽柵網(wǎng)(3)、所述抑制柵網(wǎng)(4)、所述收集極(5)和所述屏蔽罩(6)中心位置上的通孔的孔徑大小均可調(diào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電子發(fā)射系數(shù)測(cè)量和能譜分析裝置，其特征在于，所述屏蔽柵網(wǎng)(3)和所述抑制柵網(wǎng)(4)均為多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，所述屏蔽柵網(wǎng)(3)與所述抑制柵網(wǎng)(4)之間的間距和所述抑制柵網(wǎng)(4)與所述收集極(5)之間的間距均為8～16mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電子發(fā)射系數(shù)測(cè)量和能譜分析裝置，其特征在于，所述收集極(5)為直徑和高度相等的金屬圓筒，所述收集極(5)的直徑為80～160mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電子發(fā)射系數(shù)測(cè)量和能譜分析裝置，其特征在于，所述第一偏壓電源(12)的偏壓范圍為+30～+60V，所述第二偏壓電源(13)的偏壓范圍為0～﹣1500V。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電子發(fā)射系數(shù)測(cè)量和能譜分析裝置，其特征在于，所述樣品臺(tái)模塊為溫控平臺(tái)，其溫度范圍為﹣150～150℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電子發(fā)射系數(shù)測(cè)量和能譜分析裝置，其特征在于，所述冷卻層(7)底面設(shè)有沿X、Y、Z軸三個(gè)方向的滑動(dòng)軌道。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電子發(fā)射系數(shù)測(cè)量和能譜分析裝置，其特征在于，所述屏蔽柵網(wǎng)(3)為高導(dǎo)電率金屬材料，所述屏蔽罩(6)為高磁導(dǎo)率金屬材料，所述絕緣層(9)為高導(dǎo)熱率絕緣材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電子發(fā)射系數(shù)測(cè)量和能譜分析裝置，其特征在于，測(cè)量絕緣材料時(shí)所述抑制柵網(wǎng)(4)和所述收集極(5)加負(fù)偏壓，同時(shí)通過(guò)所述樣品臺(tái)模塊對(duì)所述樣品(11)加熱。
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G01N23-20 .利用輻射的衍射，例如，用于測(cè)試晶體結(jié)構(gòu)；利用輻射的反射
G01N23-22 .通過(guò)測(cè)量二次發(fā)射
G01N23-221 ..利用活化分析法
G01N23-223 ..通過(guò)用X射線輻照樣品以及測(cè)量X射線熒光
