[發(fā)明專利]一種基于LSTM檢測(cè)器的對(duì)抗攻擊防御方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810141273.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-02-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108388795A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-08-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳晉音;蘇蒙蒙;徐軒珩;鄭海斌;林翔;熊輝;沈詩(shī)婧 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G06F21/55 | 分類號(hào): | G06F21/55;G06N3/04;G06N3/08 |
| 代理公司: | 杭州斯可睿專利事務(wù)所有限公司 33241 | 代理人: | 王利強(qiáng) |
| 地址: | 310014 浙江省*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢測(cè)器 異常檢測(cè)器 檢測(cè) 樣本 候選檢測(cè)器 攻擊防御 正常樣本 誤判 寄存 隊(duì)列 否定選擇算法 訓(xùn)練數(shù)據(jù)集 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 異常區(qū)域 綜合判斷 對(duì)抗 覆蓋 算法 刪除 集合 取出 并用 保證 | ||
1.一種基于LSTM檢測(cè)器的對(duì)抗攻擊防御方法,其特征在于:包括攻擊檢測(cè)器生成集合階段和檢測(cè)階段,包括以下步驟:
1)生成對(duì)抗攻擊檢測(cè)器集合,過(guò)程如下:
1.1)用長(zhǎng)度為l的滑動(dòng)窗口對(duì)時(shí)序數(shù)據(jù)進(jìn)行截取作為原始訓(xùn)練數(shù)據(jù)集X={x(1),x(2),...},x(t)={y(t),u(t)},y(t)表示t時(shí)刻的測(cè)量值,u(t)表示時(shí)刻的控制值,其中正常樣本記作X',對(duì)抗樣本記作i表示第i類對(duì)抗樣本,共有w種對(duì)抗樣本,令i=1;
1.2)由于時(shí)序數(shù)據(jù)與之前的狀態(tài)相關(guān),首先將訓(xùn)練樣本xt-l到xt-1時(shí)刻的數(shù)據(jù)輸入到LSTM模型得到模型的記憶單元狀態(tài)h(t-1),h(t-1)可估算下一時(shí)刻的數(shù)據(jù);然后將真實(shí)的傳感器輸入值y(t)與h(t-1)輸入到一FNN模型用以判斷數(shù)據(jù)是否對(duì)抗樣本,過(guò)程如下:
1.2.1)此時(shí)訓(xùn)練數(shù)據(jù)集為
1.2.2)計(jì)算LSTM算法循環(huán)結(jié)構(gòu)中輸入門(mén)的計(jì)算結(jié)果,計(jì)算如公式(1)所示:
其中δ為激活函數(shù),可用sigmoid函數(shù)的輸出結(jié)果來(lái)控制門(mén)的開(kāi)關(guān),為輸入門(mén)權(quán)重矩陣,Ug表示輸入層與隱藏層之間的權(quán)重矩陣,bg為偏執(zhí)向量,計(jì)算結(jié)果g(t)表示當(dāng)前輸入信息,以多大程度添加到單元狀態(tài),若計(jì)算結(jié)果為0,則表示門(mén)關(guān)上,當(dāng)前輸入完全不保存到單元狀態(tài),1表示門(mén)打開(kāi),當(dāng)前輸入完全保存到記憶單元;
1.2.3)計(jì)算LSTM算法循環(huán)結(jié)構(gòu)中遺忘門(mén)的計(jì)算結(jié)果,計(jì)算如公式(2)所示:
其中變量與輸入門(mén)相似,遺忘門(mén)表示上一單元狀態(tài)有多少“記憶”保留到當(dāng)前時(shí)刻;當(dāng)輸出值越靠近1,表明記憶單元保留的信息就越多;反之,越靠近0,表明保留的就越少;
1.2.4)計(jì)算LSTM算法循環(huán)結(jié)構(gòu)中輸出門(mén)的計(jì)算結(jié)果,計(jì)算如公式(3)所示:
1.2.5)計(jì)算LSTM算法循環(huán)結(jié)構(gòu)的輸出結(jié)果
其中tanh是hyperbolic正切函數(shù),·表示向量的點(diǎn)積;
1.2.6)計(jì)算LSTM算法循環(huán)結(jié)構(gòu)的狀態(tài)單元
h(t)=tanh(s(t))·o(t) (5)
1.2.7)將t時(shí)刻真實(shí)的傳感器輸入值y(t)與LSTM計(jì)算得到的h(t-1)輸入到一FNN模型,計(jì)算得到測(cè)量結(jié)果,其中第一層隱藏層及其他隱藏層計(jì)算公式如下:
hv(1)=Whh(t-1)+Wyy(t)+b (6)
1.2.8)計(jì)算η對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行分類,η越大表示y(t)越有可能是惡意的;若對(duì)于而分類問(wèn)題,則使用S形激活函數(shù)將輸出η轉(zhuǎn)換成概率p∈[0,1],即其中η的計(jì)算方法為:
η=αh(t)+β (8)
1.3)將1.2)訓(xùn)練得到的模型作為對(duì)抗樣本檢測(cè)器存入到對(duì)抗樣本檢測(cè)器集合,對(duì)抗樣本檢測(cè)器集合中的檢測(cè)器將會(huì)在檢測(cè)階段對(duì)檢測(cè)樣本進(jìn)行檢測(cè);
1.4)令i=i+1,若i≤w,則跳轉(zhuǎn)到步驟1.2);
1.5)用檢測(cè)器集合里的檢測(cè)器檢測(cè)原始數(shù)據(jù)集中的樣本,并根據(jù)檢測(cè)率對(duì)檢測(cè)器進(jìn)行排序,即檢測(cè)率高的數(shù)據(jù)在訓(xùn)練階段會(huì)先對(duì)檢測(cè)樣本進(jìn)行檢測(cè);
2)檢測(cè)階段,過(guò)程如下:
2.1)初始化檢測(cè)器的檢測(cè)結(jié)果p'=0;
2.2)根據(jù)對(duì)抗樣本檢測(cè)器的順序,取目前檢測(cè)率最高的檢測(cè)器對(duì)樣本進(jìn)行檢測(cè),檢測(cè)器的檢測(cè)結(jié)果為
2.3)更具檢測(cè)結(jié)果判斷檢測(cè)樣本是否為對(duì)抗樣本數(shù)據(jù),若p'>γ,則判為對(duì)抗樣本結(jié)束檢測(cè),否則排除該檢測(cè)器并跳轉(zhuǎn)到步驟2.2),其中γ為對(duì)抗樣本閾值。
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G06F 電數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)處理
G06F21-00 防止未授權(quán)行為的保護(hù)計(jì)算機(jī)或計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的安全裝置
G06F21-02 .通過(guò)保護(hù)計(jì)算機(jī)的特定內(nèi)部部件
G06F21-04 .通過(guò)保護(hù)特定的外圍設(shè)備,如鍵盤(pán)或顯示器
G06F21-06 .通過(guò)感知越權(quán)操作或外圍侵?jǐn)_
G06F21-20 .通過(guò)限制訪問(wèn)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)或計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)中的節(jié)點(diǎn)
G06F21-22 .通過(guò)限制訪問(wèn)或處理程序或過(guò)程
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法和檢測(cè)組件
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- 檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)方法
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- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)設(shè)備及檢測(cè)方法
- 檢測(cè)芯片、檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)
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