[發明專利]檢測存儲器陣列中的錯位并調整讀取和驗證定時參數

有效

• 申請號: 201810140310.1
• 申請日: 2018-02-11
• 公開（公告）號: CN108417238B
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 于雪紅;龐亮;董穎達
• 申請（專利權）人: 桑迪士克科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/34
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種存儲器設備，包括：

多個存儲器單元的區塊，其中在每個區塊中，將所述存儲器單元布置成多個子區塊中的垂直串，其中每個區塊包括垂直地間隔開的導電層，所述垂直地間隔開的導電層包括連接到所述存儲器單元的字線，并且將所述多個子區塊布置成襯底上的行；以及

控制電路，將所述控制電路配置為具有用于每個子區塊的電壓斜坡周期，所述用于每個子區塊的電壓斜坡周期是所述行中的子區塊的位置的函數，其中所述電壓斜坡周期用于施加到所述導電層中的至少一個的電壓，

其中所述電壓斜坡周期在對于所選擇的存儲器單元的感測操作中被施加到連接到所述所選擇的存儲器單元的所選擇字線，或者在編程循環中被施加到選擇柵極線。

2.如權利要求1所述的存儲器設備，其中：

每個子區塊包括單獨的字線；并且

所述電壓斜坡周期用于每個子區塊中的所述單獨的字線。

3.如權利要求1所述的存儲器設備，其中：

相鄰子區塊的集合包括共享的字線；并且

所述電壓斜坡周期用于相鄰子區塊的每個集合中的所述共享的字線。

4.如權利要求1所述的存儲器設備，其中：

所述電壓斜坡周期用于連接到所述所選擇的存儲器單元的所選擇的字線；并且

所述電壓斜坡周期發生在對于所述所選擇的存儲器單元的感測操作中，并且包括在(a)當所述電壓開始向所述所選擇的字線上的分界電平傾斜時的時間和(b)當相對于所述分界電平對于所述所選擇的存儲器單元進行感測時的時間之間的周期。

5.如權利要求1所述的存儲器設備，其中：

每個垂直串包括漏極端選擇柵極晶體管；

在每個子區塊中，所述導電層中的一個包括連接到所述漏極端選擇柵極晶體管的選擇柵極線；并且

所述電壓斜坡周期用于所述選擇柵極線。

6.如權利要求5所述的存儲器設備，其中：

所述電壓斜坡周期發生在所述編程循環中，并且包括在(a)當所述電壓開始在所述選擇柵極線上斜降以引起所述漏極端選擇柵極晶體管開始從導通狀態向不導通狀態轉換時的時間和(b)當通過電壓開始在所述字線上斜升時的時間之間的周期。

7.如權利要求1所述的存儲器設備，其中：

所述電壓斜坡周期是沿著所述行的重復模式的函數。

8.如權利要求1所述的存儲器設備，其中：

所述電壓斜坡周期沿著所述行交替地相對更大和相對更小。

9.如權利要求1所述的存儲器設備，其中：

所述電壓斜坡周期沿著所述行逐步增加。

10.如權利要求1所述的存儲器設備，其中：

所述導電層是伸長的，并且在第一方向上具有共同的長度；

所述導電層的寬度在第二方向上延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向并且垂直于所述垂直串延伸的方向；

所述寬度沿著所述行變化；并且

所述電壓斜坡周期隨著所述寬度變化。