[發(fā)明專利]制造晶體管的方法和制造使用晶體管的環(huán)形振蕩器的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201810140222.1
• 申請日: 2018-02-11
• 公開（公告）號: CN108461399A
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳東妍
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/8238;H03K3/03
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 李少丹;許偉群

1.一種制造晶體管的方法，所述方法包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)；

形成包括第一材料的第一材料層以使柵極結(jié)構(gòu)的上側(cè)壁暴露；

在柵極結(jié)構(gòu)的上側(cè)壁上形成包括第二材料的間隔物；

使用間隔物作為刻蝕掩模來各向同性地刻蝕第一材料層以形成間隔；以及

在包括柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底之上形成絕緣夾層，

其中，絕緣夾層不形成在間隔中，使得在間隔中形成空氣間隔物。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成第一材料層包括：

在半導(dǎo)體襯底和柵極結(jié)構(gòu)上形成第一材料層；以及

各向異性地刻蝕第一材料層以形成具有比柵極結(jié)構(gòu)的高度低的高度且包括第一材料的間隔物。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，還包括：

在形成包括第一材料的間隔物與形成包括第二材料的間隔物之間，在包括第一材料的間隔物上形成平坦化層；以及

在形成包括第二材料的間隔物之后，選擇性地去除平坦化層以使包括第一材料的間隔物的側(cè)壁暴露。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，平坦化層包括液化絕緣層，所述液化絕緣層包括旋涂玻璃SOG或旋涂碳SOC。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成第一材料層包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成第一材料層，以填補(bǔ)柵極結(jié)構(gòu)之間的間隔；以及

使第一材料層凹陷，以使柵極結(jié)構(gòu)的上側(cè)壁暴露。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，還包括：

在形成包括第二材料的間隔物與形成間隔之間，使用包括第二材料的間隔物作為刻蝕掩模來各向異性地刻蝕第一材料層。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成柵極結(jié)構(gòu)包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成柵極絕緣層；

在柵極絕緣層上形成柵極導(dǎo)電層；

在柵極導(dǎo)電層上形成硬掩模層；以及

圖案化硬掩模層和柵極導(dǎo)電層。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在形成柵極結(jié)構(gòu)與形成第一材料層之間，在半導(dǎo)體襯底和柵極結(jié)構(gòu)上形成第一內(nèi)襯。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，第一內(nèi)襯包括氮化硅。

10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，第一材料相對于第一內(nèi)襯的材料和第二材料而具有刻蝕選擇性。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，第一材料包括硅鍺。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，第二材料相對于第一內(nèi)襯的材料和第一材料而具有刻蝕選擇性。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，第二材料包括氧化硅。

14.如權(quán)利要求8所述的方法，還包括：

在形成間隔與形成絕緣夾層之間，在半導(dǎo)體襯底上、間隔的內(nèi)表面上、包括第二材料的間隔物的表面上和第一內(nèi)襯的表面上形成第二內(nèi)襯。

15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成絕緣夾層包括：在與半導(dǎo)體襯底的表面大致垂直的方向上的沉積速率比在與半導(dǎo)體襯底的表面大致平行的方向上的沉積速率快的狀況下，各向異性地沉積絕緣夾層。

16.一種制造晶體管的方法，所述方法包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)；

在柵極結(jié)構(gòu)的下側(cè)壁上形成第一間隔物；

在第一間隔物之上形成第二間隔物；

通過經(jīng)由第一間隔物的暴露的側(cè)表面供應(yīng)刻蝕劑來選擇性地去除第一間隔物，以在第二間隔物下形成間隔；以及

在包括柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底之上形成絕緣夾層，

其中，絕緣夾層不形成在間隔中，使得在間隔中形成空氣間隔物。