[發(fā)明專利]一種抑制雙極晶體管電離缺陷形成的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810136610.2
• 申請(qǐng)日: 2018-02-09
• 公開（公告）號(hào): CN108346575A
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊劍群;李興冀;趙金宇;董尚利
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/324
• 分類號(hào): H01L21/324;H01L21/66
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109
• 代理人: 楊立超

1.一種抑制雙極晶體管電離缺陷形成的方法，其特征在于，包括：

步驟一，將晶體管放入密閉容器中，并抽真空或填充保護(hù)性氣體；所述晶體管為雙極晶體管；

步驟二，使用電爐對(duì)晶體管進(jìn)行加熱，并進(jìn)行保溫；加熱時(shí)的升溫速率小于等于20℃/min，控溫精度為±1℃，加熱溫度為80℃至220℃；

步驟三，保溫結(jié)束后，將晶體管降溫至室溫。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制雙極晶體管電離缺陷形成的方法，其特征在于，在步驟三執(zhí)行完成之后，還包括用于檢測是否出現(xiàn)輻照損傷增強(qiáng)效應(yīng)的步驟，具體包括：

步驟四，使用⁶⁰Co作為輻照源對(duì)所述晶體管進(jìn)行電離輻照試驗(yàn)，改變輻照劑量率并記錄晶體管的電流增益的變化量，若變化量超過預(yù)設(shè)的閾值，則表示所述晶體管發(fā)生了損傷。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制雙極晶體管電離缺陷形成的方法，其特征在于：

在步驟一執(zhí)行之前，

對(duì)于經(jīng)過未經(jīng)過加溫處理的晶體管，繪制深能級(jí)瞬態(tài)譜圖；

在步驟三執(zhí)行之后，

對(duì)于經(jīng)過加溫處理的晶體管，繪制深能級(jí)瞬態(tài)譜圖。

4.根據(jù)權(quán)利要求或2所述的抑制雙極晶體管電離缺陷形成的方法，其特征在于，步驟一中，抽真空時(shí)的真空度不低于10pa至10^-4pa。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的抑制雙極晶體管電離缺陷形成的方法，其特征在于，步驟三中，降溫時(shí)的降溫速率小于等于20℃/min。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的抑制雙極晶體管電離缺陷形成的方法，其特征在于，步驟四中，改變輻照劑量率的變化范圍為1mrad/s至10mrad/s，輻照總劑量為20krad至100krad。