[發明專利]非晶硅表面處理方法

有效

• 申請號: 201810136389.0
• 申請日: 2018-02-09
• 公開（公告）號: CN108364866B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 劉剛;辛少強;張毅先;任思雨;蘇君海;李建華
• 申請（專利權）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/02;H01J37/32
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 葉劍

1.一種非晶硅表面處理方法，其特征在于，包括如下步驟：

在真空腔室內，對含氧氣體進行第一次電離操作，形成第一等離子體，采用所述第一等離子體對非晶硅層進行第一次干法刻蝕操作；其中，所述含氧氣體為氧氣和二氧化氮中的至少一種；

在真空腔室內，對碳氟氣體、氫氣和氬氣的混合氣體進行第二次電離操作，形成第二等離子體，采用所述第二等離子體對經過第一次干法刻蝕操作處理后的所述非晶硅層進行第二次干法刻蝕操作，其中，氫氣電離后形成的H⁺與碳氟氣體電離后形成的F⁺結合，以減少對非晶硅的刻蝕。

2.根據權利要求1所述的非晶硅表面處理方法，其特征在于，在所述第二次干法刻蝕操作之后，所述非晶硅表面處理方法還包括如下步驟：

在真空腔室內，對氧氣進行第三次電離操作，形成第三等離子體，采用所述第三等離子體對經過第二次干法刻蝕操作處理后的所述非晶硅層進行第三次干法刻蝕操作。

3.根據權利要求1所述的非晶硅表面處理方法，其特征在于，所述第一次電離操作中，所述含氧氣體的流量為300sccm-600sccm。

4.根據權利要求3所述的非晶硅表面處理方法，其特征在于，所述第一次干法刻蝕操作為反應離子刻蝕。

5.根據權利要求3所述的非晶硅表面處理方法，其特征在于，所述第一次干法刻蝕操作為電感耦合式等離子刻蝕。

6.根據權利要求4至5任一項中所述的非晶硅表面處理方法，其特征在于，所述第一次干法刻蝕操作持續時間為20秒～30秒。

7.根據權利要求1所述的非晶硅表面處理方法，其特征在于，所述碳氟氣體為C₂H₅、C₂HF₅、C₄F₈、C₅F₈、CHF₃和CH₂F₂中的至少一種。

8.根據權利要求1所述的非晶硅表面處理方法，其特征在于，所述第二次電離操作中，碳氟氣體、氫氣和氬氣的流量比為“40-80”：“10-50”：“200-300”。

9.根據權利要求8所述的非晶硅表面處理方法，其特征在于，第二次干法刻蝕操作為反應離子刻蝕或者電感耦合式等離子刻蝕。

10.根據權利要求9所述的非晶硅表面處理方法，其特征在于，所述第二次干法刻蝕操作的持續時間為10秒～30秒。