[發明專利]顯示基板及其制造方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201810136043.0 | 申請日: | 2018-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN108305890B | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發明(設計)人: | 王曉偉;張國慶 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,所述顯示基板包括顯示區和周邊電路區,所述周邊電路區環繞在所述顯示區周圍,所述顯示基板還包括:
至少部分位于所述顯示區內的陰極導電層;以及,
位于所述周邊電路區內的陰極電壓連接端和導電引線;
其中,所述導電引線包括:
環繞在所述顯示區周圍的第一環狀部,所述第一環狀部與所述陰極導電層接觸連接;
環繞在所述第一環狀部周圍的第二環狀部,所述第二環狀部與所述陰極電壓連接端連接;
多個橋接部,每個所述橋接部均具有連接所述第一環狀部的第一端和連接所述第二環狀部的第二端;所述多個橋接部中,橋接部的第二端到所述陰極電壓連接端的電阻值與橋接部在第一端與第二端之間的電阻值負相關,負相關的兩個數值在整體上的大小變化趨勢相反。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,
所述多個橋接部中,橋接部的第二端到所述陰極電壓連接端的電阻值與橋接部在第一端到第二端的方向上的長度負相關;
和/或,
所述多個橋接部中,橋接部的第二端到所述陰極電壓連接端的電阻值與橋接部在第一端到第二端的垂直方向上的長度正相關。
3.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,部分所述陰極導電層位于所述周邊電路區內,所述第一環狀部在厚度方向上的一側的表面與所述陰極導電層在厚度方向上的一側的表面相接觸。
4.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第二環狀部與所述陰極電壓連接端接觸連接;或者,
所述導電引線還包括至少一個引線部,所述至少一個引線部將所述第二環狀部連接至所述陰極電壓連接端。
5.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述導電引線的每個部分的形成材料均是相同的。
6.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述導電引線的每個部分的形成材料均是相同的,所述導電引線的每個部分在所述顯示基板上的厚度均是相同的。
7.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括柵極導電層,至少部分的所述導電引線與所述柵極導電層通過同一次掩膜工藝形成;和/或,
所述顯示基板還包括源漏導電層,至少部分的所述導電引線與所述源漏導電層通過同一次掩膜工藝形成。
8.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述多個橋接部均位于所述第一環狀部與所述第二環狀部之間。
9.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一環狀部和/或第二環狀部的形狀為閉合的環形。
10.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述陰極導電層布滿所述顯示區。
11.一種顯示基板的制造方法,其特征在于,所述顯示基板包括顯示區和周邊電路區,所述周邊電路區環繞在所述顯示區周圍,所述制造方法包括:
形成包括陰極電壓連接端和導電引線的圖形,所述陰極電壓連接端和所述導電引線均位于所述周邊電路區內;
形成陰極導電層,至少部分所述陰極導電層位于所述顯示區內;
其中,所述導電引線包括:
環繞在所述顯示區周圍的第一環狀部,所述第一環狀部與所述陰極導電層接觸連接;
環繞在所述第一環狀部周圍的第二環狀部,所述第二環狀部與所述陰極電壓連接端連接;
多個橋接部,每個所述橋接部均具有連接所述第一環狀部的第一端和與連接所述第二環狀部的第二端;所述多個橋接部中,橋接部的第二端到所述陰極電壓連接端的電阻值與橋接部在第一端與第二端之間的電阻值負相關,負相關的兩個數值在整體上的大小變化趨勢相反。
12.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括如權利要求1至10中任意一項所述的顯示基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





