[發明專利]一種金屬-半導體的金屬化工藝及方法

有效

• 申請號: 201810136008.9
• 申請日: 2018-02-10
• 公開（公告）號: CN110148581B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 姜富帥
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 潘劍敏

1.一種針對于金屬-半導體的金屬化工藝包括，第一步，提供一種半導體基材，該半導體包含至少一PN結，其PN結結構是疊加形式的串聯結構，且其表面已經附著一種或者混合的介電膜層；第二步，在通過蒸發、濺射、沉積、電鍍、印刷、植入或填埋方式、直接在介電膜層表面實施電極材料；第三步，對需分離的P區、N區的電極采用選擇性腐蝕予以分離，形成能夠外聯的正負電極；第四步，對覆蓋有電極的半導體基材進行熱處理；第五步，通過對外聯的正負電極實施歐姆接觸處理方法完成金屬化過程；所述的第四步中熱處理需要的工作溫度為150攝氏度-800攝氏度，其過程在于改善電極材料與介電膜層的著附力、并使得電極的體電阻降低；所述的第五步中金屬化過程需要利用加熱器（7）提供室溫-400攝氏度的工作溫度；通過電源(6)產生75A/cm²-20kA/cm²的直接電流或者誘導電流注入到電極PN結中達到歐姆接觸的目的，其作用時間從納秒至秒級范圍；所述直接電流注入是通過電源(6)對相應的半導體器件的PN結區的外聯的正負電極直接施加一定可調時間的正向導通電流以此形成金屬-半導體歐姆接觸。

2.如權利要求1所述的金屬-半導體的金屬化工藝，其特征在于所述第一步中的介電膜層，其厚度在1nm-200nm范圍，其附著在半導體基材的單面或雙面。

3.如權利要求1所述的金屬-半導體的金屬化工藝，其特征在于所述第二步中在通過濺射、沉積、電鍍、印刷或植入方式、直接在該介電膜層表面實施電極材料；在大規模電路中的復雜的金屬氧化物半導體結構中；大規模電路中的復雜的金屬氧化物半導體結構背面需要沉積電極。

4.如權利要求1所述的金屬-半導體的金屬化工藝，其特征在于所述第三步中對需要分離的P區、N區的電極，采用光刻掩膜技術使得隸屬不同的P區、N區的電極選擇性腐蝕予以分離；形成步驟五中所需的外聯的正負電極。

5.如權利要求1中所述的金屬-半導體的金屬化工藝，其特征是在于誘導電流注入是通過外部的準直或者聚焦的輻射源即電子束或者光源，在半導體基材中產生一定時間內的電導通，并同時通過外聯的正負電極與電源(6)，產生電流，依次形成金屬-半導體歐姆接觸。