[發明專利]硅太陽電池的回收方法在審
| 申請號: | 201810135864.2 | 申請日: | 2018-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN108346715A | 公開(公告)日: | 2018-07-31 |
| 發明(設計)人: | 劉芳洋;蔣良興;賴延清;李劼;劉業翔 | 申請(專利權)人: | 中南大學 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 長沙智德知識產權代理事務所(普通合伙) 43207 | 代理人: | 陳銘浩 |
| 地址: | 410083 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅太陽電池 放入 去除 氫氧化鉀或氫氧化鈉 回收 有機物 玻璃 背板 揮發 清洗 高溫熱處理 金屬 磷酸體系 鋁背電極 組件表面 氮化硅 發射極 浸出液 硝酸 硅片 含氟 浸出 移除 浸泡 污染 | ||
1.一種硅太陽電池的回收方法,其特征在于,包括以下步驟:
A,機械移除需回收的硅太陽電池的鋁框和接線盒,得到硅太陽電池組件;
B,將硅太陽電池組件進行高溫熱處理使硅太陽電池組件中的EVA膠膜以及有機背板揮發;
C,EVA膠膜和有機背板揮發后,機械移除玻璃,得到去有機物及玻璃的硅太陽電池組件并將其浸泡在硝酸中,從而將去有機物及玻璃的硅太陽電池組件表面的銀、錫、銅和鉛浸出,得到浸出液和去金屬的硅太陽電池組件,并清洗去金屬的硅太陽電池組件;
D,去金屬的硅太陽電池組件依次放入氫氧化鉀或氫氧化鈉溶液中去除硅太陽電池組件的鋁背電極后清洗、放入含氟磷酸體系中去除硅太陽電池組件的氮化硅后清洗,以及放入氫氧化鉀或氫氧化鈉溶液中去除硅太陽電池組件的發射極后清洗,得到硅片。
2.如權利要求1所述的硅太陽電池的回收方法,其特征在于,所述步驟B包括:
將硅太陽電池組件放入氮氣或氬氣氣氛中,以1-30℃/min的升溫速率升至450-550℃,使硅太陽電池組件中的EVA膠膜以及有機背板揮發。
3.如權利要求1所述的硅太陽電池的回收方法,其特征在于,所述步驟C中硝酸的濃度為1-4mol/L。
4.如權利要求1所述的硅太陽電池的回收方法,其特征在于,所述步驟D中含氟磷酸體系的溫度為150-250℃,含氟磷酸體系包括濃度為80%-95%的磷酸,以及重量百分比為0.01-10wt%的氟化物,其中,氟化物為HF、NH4F、NH4HF2中的至少一種。
5.如權利要求4所述的硅太陽電池的回收方法,其特征在于,所述步驟D中具體使用50-90℃的去離子水對去除氮化硅后的硅太陽電池組件清洗。
6.如權利要求1所述的硅太陽電池的回收方法,其特征在于,所述步驟D中去除硅太陽電池組件的鋁背電極時,所使用的氫氧化鉀或氫氧化鈉的濃度為40%-50%,溫度為70-90℃,去除時間為5-15min。
7.如權利要求1所述的硅太陽電池的回收方法,其特征在于,所述步驟D中去除硅太陽電池組件的發射極時,所使用的氫氧化鉀或氫氧化鈉的濃度為0.01%-20%。
8.如權利要求1所述的硅太陽電池的回收方法,其特征在于,所述步驟C之后還包括以下步驟:
E,通過向浸出液鼓入空氣和添加硫酸的方式,得到錫酸沉淀、硫酸鉛沉淀和第一濾液;
F,將錫酸沉淀用鹽酸浸出后形成氯化錫溶液,通過電解氯化錫溶液得到金屬錫;
G,向第一濾液中加入鹽酸或NaCl,得到氯化銀沉淀和第二濾液;
H,用氫氧化鈉中和第二濾液,并通過電解方式提取金屬銅;將氯化銀沉淀清洗后提取金屬銀。
9.如權利要求8所述的硅太陽電池的回收方法,其特征在于,所述步驟E具體為:
向浸出液鼓入空氣后過濾,得到錫酸沉淀和第三濾液,向第三濾液中加入硫酸后過濾,得到硫酸鉛沉淀和所述第一濾液;
或者,
向浸出液中加入硫酸后過濾,得到硫酸鉛沉淀和第四濾液,向第四濾液中鼓入空氣,得到錫酸沉淀和所述第一濾液;
或者,
向浸出液同時鼓入空氣和加入硫酸,過濾后獲得錫酸沉淀、硫酸鉛沉淀和所述第一濾液。
10.如權利要求8所述的硅太陽電池的回收方法,其特征在于,所述步驟H中通過氨浸提銀、水合肼沉淀銀的方式從氯化銀中提銀。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





