[發(fā)明專利]雙極器件位移損傷引起的性能退化的等效評價方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810135800.2
• 申請日: 2018-02-09
• 公開（公告）號: CN108334706B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李興冀;楊劍群;劉超銘;董尚利
• 申請（專利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: G06F30/367
• 分類號: G06F30/367;G06F111/08
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109
• 代理人: 畢雅鳳

1.雙極器件位移損傷引起的性能退化的等效評價方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、基于地面異種粒子輻照源，確定位移損傷引起的性能退化與位移吸收劑量的函數(shù)關(guān)系曲線；

步驟一具體包括以下步驟：

步驟一一、確定雙極器件的中性基區(qū)范圍，發(fā)射極與中性基區(qū)的邊界距上表面的距離為t₁，中性基區(qū)與集電區(qū)的邊界距上表面的距離為t₂，則中性基區(qū)的厚度為t₂-t₁

步驟一二、選定粒子，該粒子滿足如下兩個條件：

(1)射程不小于2t₂，

(2)比例關(guān)系系數(shù)α_i小于3，α_i＝log(D_i/D_d)，D_i和D_d分別為該粒子在中性基區(qū)內(nèi)的電離吸收劑量和位移吸收劑量；

步驟一三、基于步驟一二選定的粒子進(jìn)行輻照試驗(yàn)，測試雙極器件中性基區(qū)的典型電性能參數(shù)與輻照注量的函數(shù)關(guān)系曲線；

步驟一四、將輻照注量點(diǎn)Φ_n轉(zhuǎn)換為位移吸收劑量點(diǎn)D_T，D_T＝Φ_n·D_d；

將典型電性能參數(shù)與輻照注量的函數(shù)關(guān)系曲線轉(zhuǎn)換為典型電性能參數(shù)與位移吸收劑量的函數(shù)關(guān)系曲線；

更換粒子，并重復(fù)步驟一二至步驟一四，直至得到至少三種粒子的典型電性能參數(shù)與位移吸收劑量的函數(shù)關(guān)系曲線；

步驟一五、將得到的多條函數(shù)關(guān)系曲線進(jìn)行擬合即得到性能退化與位移吸收劑量的函數(shù)關(guān)系曲線；

步驟二、針對特定軌道和任務(wù)要求計(jì)算該軌道下的電離吸收劑量D_I和位移吸收劑量D_D，當(dāng)雙極器件以位移損傷為主時，根據(jù)步驟一的函數(shù)關(guān)系曲線找到該位移吸收劑量D_D所對應(yīng)的性能退化情況，完成對在軌雙極器件的性能退化的評價。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極器件位移損傷引起的性能退化的等效評價方法，其特征在于，當(dāng)log(D_I/D_D)小于3時，認(rèn)定雙極器件以位移損傷為主。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極器件位移損傷引起的性能退化的等效評價方法，其特征在于，所述粒子為電子、質(zhì)子、中子或重離子。