[發明專利]一種柔性基片襯底的異質結構薄膜及其制備方法

在審

• 申請號: 201810135078.2
• 申請日: 2018-02-09
• 公開（公告）號: CN108231910A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 李雙美;張東;何喬;趙志剛
• 申請（專利權）人: 沈陽工程學院
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/45;H01L29/24;H01L21/34;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/06
• 代理公司: 沈陽銘揚聯創知識產權代理事務所(普通合伙) 21241
• 代理人: 呂敏

1.一種柔性基片襯底的異質結構薄膜，其特征在于：從下到上依次包括聚酰亞胺柔性襯底層、第一導電薄膜、Ga₂O₃材料層、VO₂材料層、第二導電薄膜及抗腐蝕保護層。

2.根據權利要求1所述的柔性基片襯底的異質結構薄膜，其特征在于：所述第一導電薄膜和第二導電薄膜均為AZO透明導電薄膜。

3.根據權利要求1所述的柔性基片襯底的異質結構薄膜，其特征在于：所述抗腐蝕保護層為TiN抗腐蝕保護層。

4.根據權利要求1所述的柔性基片襯底的異質結構薄膜，其特征在于：所述聚酰亞胺柔性襯底層的厚度為為0.4～1.2mm。

5.一種如權利要求1所述柔性基片襯底的異質結構薄膜的制備方法，其特征在于：在聚酰亞胺柔性襯底依次制備第一AZO透明導電薄膜、Ga₂O₃材料層、VO2材料層、第二AZO透明導電薄膜及TiN抗腐蝕保護層。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于：所述在聚酰亞胺柔性襯底上制備第一導電薄膜，采用AZO透明導電薄膜：將聚酰亞胺基片采用離子水超聲波清洗10分鐘后，吹干送入磁控濺射反應室，在1.0×10^-3Pa真空的條件下，在聚酰亞胺基片上沉積制備AZO透明導電電極，其工藝參數條件是：氬氣和氧氣作為混合氣體反應源，其氬氣和氧氣流量比8:1，反應濺射氧化鋅摻雜鋁靶材的純度為99.9％，制備溫度為200℃～400℃，制備時間為45-70分鐘。

7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，采用磁控濺射在所述第一AZO透明導電薄膜上沉積制備Ga₂O₃材料層，在1.0×10^-3Pa真空的條件下，其工藝參數條件是：氧氣作為氣體反應源，其氧氣流量為80～120sccm，反應濺射氧化鎵靶材的純度為99.9％，制備溫度為200℃～400℃，制備時間30分鐘至180分鐘。

8.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，采用磁控濺射在所述Ga²O³薄膜上沉積制備VO₂材料層，在1.0×10^-3Pa真空的條件下，其工藝參數條件是：氬氣和氧氣作為混合氣體反應源，其氬氣和氧氣流量比8:1，反應濺射二氧化釩靶材的純度為99.9％，制備溫度為100℃～300℃，制備時間為180-220分鐘。

9.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，采用磁控濺射在所述VO₂材料層制備第二導電薄膜，采用AZO透明導電薄膜，將真空抽到1.0×10^-3Pa真空的條件下，其工藝參數條件是：氬氣和氧氣作為混合氣體反應源，其氬氣和氧氣流量比5:1，反應濺射氧化鋅摻雜鋁靶材的純度為99.9％，制備溫度為100℃～300℃，制備時間為20-30分鐘。

10.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，采用磁控濺射在所述第二AZO透明導電薄膜上制備TiN抗腐蝕保護涂層，其工藝參數條件是：氮氣作為氣體反應源，其氮氣流量為30～80sccm，反應濺射氮化鈦靶材的純度為99.99％，襯底溫度為100℃～400℃，制備時間為15-25分鐘。