[發(fā)明專利]一種碳化硅纖維增強(qiáng)陶瓷基結(jié)構(gòu)吸波復(fù)合材料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810134696.5 | 申請日: | 2018-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN108191446B | 公開(公告)日: | 2021-02-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 望紅玉;金培鵬;王自潔 | 申請(專利權(quán))人: | 青海大學(xué) |
| 主分類號: | C04B35/80 | 分類號: | C04B35/80;C04B35/14;C04B35/10;C04B35/48;C04B35/622 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 徐文權(quán) |
| 地址: | 810016 *** | 國省代碼: | 青海;63 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 碳化硅 纖維 增強(qiáng) 陶瓷 結(jié)構(gòu) 復(fù)合材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種碳化硅纖維增強(qiáng)陶瓷基結(jié)構(gòu)吸波復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
步驟1:將SiC纖維預(yù)制體進(jìn)行除膠處理并烘干;
步驟2:在除膠處理并烘干后的SiC纖維預(yù)制體上沉積SiC,得到SiCf/SiC吸波復(fù)合材料;
SiCf/SiC吸波復(fù)合材料的具體制備過程包括:將除膠處理并烘干后的SiC纖維預(yù)制體置入化學(xué)氣相沉積爐中,通過載氣將三氯甲基硅烷前驅(qū)體通入化學(xué)氣相沉積爐中,并同時輸入稀釋氣體和反應(yīng)氣體;在溫度為800~1100℃和壓力6~10kPa的條件下,沉積1~10h,得到SiCf/SiC吸波復(fù)合材料;
步驟3:將得到的SiCf/SiC吸波復(fù)合材料浸漬到硅溶膠、鋁溶膠或鋯溶膠中,再進(jìn)行高溫處理,獲得碳化硅纖維增強(qiáng)陶瓷基結(jié)構(gòu)吸波復(fù)合材料;
所述的吸波復(fù)合材料按體積百分比計(jì),包括30~40%的SiC纖維預(yù)制體,25~40%的SiC陶瓷基體和20~45%的氧化物陶瓷基體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅纖維增強(qiáng)陶瓷基結(jié)構(gòu)吸波復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:步驟1中,將SiC纖維預(yù)制體在丙酮中浸泡10min后超聲波震蕩5min,完成除膠處理;然后取出SiC纖維預(yù)制體用無水乙醇清洗,清洗后置入100℃的烘箱內(nèi)保溫30min烘干。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅纖維增強(qiáng)陶瓷基結(jié)構(gòu)吸波復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:化學(xué)氣相沉積爐以10℃/min的升溫速率從室溫升至800~1100℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅纖維增強(qiáng)陶瓷基結(jié)構(gòu)吸波復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:載氣為氫氣,稀釋氣體為氬氣,反應(yīng)氣體為二氧化碳;其中,氫氣流量為700~1000sccm,氬氣流量為1200~1600sccm,二氧化碳流量為100~600sccm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅纖維增強(qiáng)陶瓷基結(jié)構(gòu)吸波復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:將SiCf/SiC吸波復(fù)合材料浸漬到硅溶膠中時,硅溶膠的質(zhì)量濃度為10%~50%,浸漬時間為0.5h~5h,浸漬后進(jìn)行干燥處理再進(jìn)行真空高溫?zé)Y(jié),其中燒結(jié)溫度為800~1000℃,燒結(jié)時間為1~5h。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅纖維增強(qiáng)陶瓷基結(jié)構(gòu)吸波復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:將SiCf/SiC吸波復(fù)合材料浸漬到鋁溶膠中時,鋁溶膠的質(zhì)量濃度為10%~40%,浸漬時間為1h~6h,浸漬后進(jìn)行干燥處理再進(jìn)行高溫?zé)Y(jié),其中燒結(jié)溫度為700~1000℃,燒結(jié)時間為1~5h。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅纖維增強(qiáng)陶瓷基結(jié)構(gòu)吸波復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:將SiCf/SiC吸波復(fù)合材料浸漬到鋯溶膠中,鋯溶膠的質(zhì)量濃度為5%~45%,浸漬時間為1h~5h,浸漬后進(jìn)行干燥處理再進(jìn)行真空高溫?zé)Y(jié),其中燒結(jié)溫度為700~1000℃,燒結(jié)時間為1~5h。
8.一種由權(quán)利要求1~7中任意一項(xiàng)所述的碳化硅纖維增強(qiáng)陶瓷基結(jié)構(gòu)吸波復(fù)合材料的制備方法得到的碳化硅纖維增強(qiáng)陶瓷基結(jié)構(gòu)吸波復(fù)合材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種碳化硅纖維增強(qiáng)陶瓷基結(jié)構(gòu)吸波復(fù)合材料,其特征在于:氧化物陶瓷基體為氧化硅、氧化鋁或氧化鋯。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于青海大學(xué),未經(jīng)青海大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810134696.5/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 增強(qiáng)片及增強(qiáng)方法
- 圖像增強(qiáng)設(shè)備和圖像增強(qiáng)方法
- 圖像增強(qiáng)裝置、圖像增強(qiáng)方法
- 粉狀增強(qiáng)減水劑及摻有粉狀增強(qiáng)減水劑的增強(qiáng)水泥
- 增強(qiáng)片、增強(qiáng)構(gòu)件、增強(qiáng)套件、增強(qiáng)片的制造方法及增強(qiáng)構(gòu)件的制造方法
- 增強(qiáng)片、增強(qiáng)構(gòu)件、增強(qiáng)套件、增強(qiáng)片的制造方法及增強(qiáng)構(gòu)件的制造方法
- 使用增強(qiáng)模型的增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)系統(tǒng)
- 增強(qiáng)片及增強(qiáng)結(jié)構(gòu)體
- 圖像增強(qiáng)方法和圖像增強(qiáng)裝置
- 增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)鏡片、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)眼鏡及增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)成像方法





