[發明專利]一種金屬銥配合物和包含該金屬銥配合物的有機電致發光器件在審
| 申請號: | 201810134626.X | 申請日: | 2018-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN108164564A | 公開(公告)日: | 2018-06-15 |
| 發明(設計)人: | 曹建華;隋巖;董梁;張建川;王士波;唐永順;華瑞茂 | 申請(專利權)人: | 石家莊誠志永華顯示材料有限公司 |
| 主分類號: | C07F15/00 | 分類號: | C07F15/00;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京市蘭臺律師事務所 11354 | 代理人: | 劉俊清 |
| 地址: | 050091 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬銥配合物 有機電致發光器件 電致發光 發光材料 發光效率 結構通式 理想選擇 熱穩定性 提純 制備 | ||
1.一種金屬銥配合物,其特征在于,所述金屬銥配合物為式I所示化合物
其中:
R1和R2各自獨立地表示C1-C10的烷基、C4-C10的環烷基、氘取代的C1-C10的烷基、氘取代的C4-C10的環烷基、C1-C8的烷氧基、氘取代的C1-C8的烷氧基、C1-C8的烷硫基、氘取代的C1-C8的烷硫基、氟或氰基;
R3、R4、R5各自獨立地表示氫、氘氫、氟、C1-C8的烷基、氘取代的C1-C8的烷基、C1-C8的烷氧基、氘取代的C1-C8的烷氧基、C1-C8的硅烷基、取代的或未取代的C6-C20芳基、取代的或未取代的C6-C20芳氧基、取代的或未取代的C6-C20芳硫基、氟或氰基;
所述取代的C6-C20芳基、取代的C6-C20芳氧基和取代的C6-C20芳硫基中所述的取代基各自獨立地選自氫、氘氫、鹵原子、羥基、氰基、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C1-C20烷氧基、C3-C20環烷烴基或C3-C20環烯烴基中的一種或多種;
A表示C或N;
X表示O、S或Se;
n各自獨立地表示1、2或3。
2.根據權利要求1所述的金屬銥配合物,其特征在于,所述式I所述化合物為以下式II-01~II-45、式III-01~III-51所示化合物
3.一種有機電致發光器件,依次包括基板、陽極層、空穴傳輸層、有機發光層、電子傳輸層和陰極層,其特征在于,所述有機發光層的材料包含一種或多種權利要求1或2所述的金屬銥配合物。
4.根據權利要求3所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述陽極層與所述空穴傳輸層之間還設有空穴注入層。
5.根據權利要求4所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述空穴注入層的厚度為30-50nm。
6.根據權利要求4所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述空穴注入層的厚度為40nm。
7.根據權利要求3所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述空穴傳輸層的厚度為5-15nm;所述有機發光層的厚度為10-100nm;所述電子傳輸層的厚度為10-30nm;所述陰極層的厚度為90-110nm。
8.根據權利要求3所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述空穴傳輸層的厚度為10nm;所述有機發光層的厚度為50nm;所述電子傳輸層的厚度為20nm;所述陰極層的厚度為100nm。
9.一種有機電致發光材料,其特征在于,所述有機電致發光材料的原料包含權利要求1或2所述的金屬銥配合物中的一種或多種。
10.權利要求1或2所述金屬銥配合物在制備有機電致發光器件或有機電致發光材料中的應用。
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