[發明專利]半導體封裝裝置和其制造方法有效
| 申請號： | 201810132635.5 | 申請日： | 2018-02-09 |
| 公開（公告）號： | CN109411450B | 公開（公告）日： | 2021-11-05 |
| 發明（設計）人： | 金錫奉;樸璿姝;陳亨俊 | 申請（專利權）人： | 日月光半導體(韓國)有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/66 | 分類號： | H01L23/66;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 林斯凱 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 封裝 裝置 制造 方法 | ||
1.一種半導體封裝裝置，其包括
襯底，其具有頂表面和與所述頂表面相對的底表面； 裸片，其安置在所述襯底的所述頂表面上；
封裝體，其安置在所述襯底的所述頂表面上且環繞所述裸片；以及
天線層，其安置在所述封裝體的頂表面上，其中所述天線層界定第一凹部，
其中直接在所述第一凹部下方的所述封裝體的頂表面不具有凹部，以及
其中所述封裝體界定在所述封裝體的所述頂表面上的第二凹部，所述第二凹部與所述第一凹部側向間隔開以實現阻抗匹配，且其中所述封裝體的所述第二凹部填充有所述天線層。
2.根據權利要求 1 所述的半導體封裝裝置，其中所述襯底包含所述襯底的所述頂表面上的傳導墊，且所述天線層接觸所述襯底的所述頂表面上的所述傳導墊。
3.根據權利要求 1 所述的半導體封裝裝置，其中經所述天線層界定的所述第一凹部的深度小于所述天線層的厚度。
4.根據權利要求 1 所述的半導體封裝裝置，其中所述封裝體和所述襯底界定空間以容納所述裸片。
5.根據權利要求 1 所述的半導體封裝裝置，其中所述封裝體接觸所述裸片。
6.根據權利要求 1 所述的半導體封裝裝置，其中所述第一凹部通過激光鉆孔、沖孔、或蝕刻形成。
7.根據權利要求 1 所述的半導體封裝裝置，其中經所述封裝體界定的所述第二凹部的深度小于所述封裝體的厚度。
8.根據權利要求 1 所述的半導體封裝裝置，其中所述襯底具有在所述襯底的所述頂表面與所述底表面之間延伸的側表面；
所述封裝體具有基本上垂直于所述封裝體的所述頂表面的側表面；且所述襯底的所述側表面不與所述封裝體的所述側表面對準。
9.根據權利要求 8 所述的半導體封裝裝置，其中所述天線層具有安置在所述封裝體的所述頂表面上的頂表面，和安置在所述封裝體的所述側表面上的側表面；且
所述天線層的所述側表面與所述襯底的所述側表面基本上共面。
10.根據權利要求 2 所述的半導體封裝裝置，其中所述天線層包括與所述襯底連接的饋線部分，與所述襯底上的所述傳導墊連接的所述天線層的部分界定所述饋線部分，且所述饋線部分露出所述封裝體的側表面。
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