[發明專利]基板處理裝置

有效

• 申請號: 201810131309.2
• 申請日: 2015-02-26
• 公開（公告）號: CN108198748B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 吉原直彥;小林健司;奧谷學
• 申請（專利權）人: 斯克林集團公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 向勇

1.一種基板處理裝置，其特征在于，具有：

基板保持單元，將基板保持為水平；

處理液供給單元，通過向由所述基板保持單元保持的基板的上表面供給處理液，形成覆蓋基板的整個上表面的處理液的液膜；

基板加熱單元，具有以分別獨立的溫度對由所述基板保持單元保持的基板的整個上表面進行加熱的多個加熱器，在基板的整個上表面被處理液的液膜覆蓋的狀態下，通過以處理液的沸點以上的溫度對由所述基板保持單元保持的基板進行加熱來使處理液蒸發，以在處理液的液膜和基板的上表面之間形成氣相；

控制裝置，對所述基板加熱單元進行控制，

所述控制裝置執行均勻加熱工序和溫度差產生工序，從而處理液的液膜不會分裂，保持液塊的狀態從基板排除，

在所述均勻加熱工序中，在基板的整個上表面由處理液的液膜覆蓋的狀態下，通過使所述多個加熱器以處理液的沸點以上的溫度對由所述基板保持單元保持的基板均勻加熱來使處理液蒸發，以在由所述基板保持單元保持的基板的上表面和處理液的液膜之間形成氣相，

所述溫度差產生工序在所述均勻加熱工序后執行，在所述溫度差產生工序中，在處理液的液膜和基板的上表面之間形成有氣相的狀態下，通過控制所述多個加熱器，在由所述基板保持單元保持的基板的上表面形成溫度在處理液的沸點以上的低溫區域和溫度比所述低溫區域的溫度高的高溫區域。

2.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述控制裝置在所述溫度差產生工序中在由所述基板保持單元保持的基板的上表面中央部形成所述高溫區域。

3.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述控制裝置在所述溫度差產生工序中在由所述基板保持單元保持的基板的上表面周緣部的一部分形成所述高溫區域。

4.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述控制裝置還在所述溫度差產生工序后執行邊界移動工序，

在所述邊界移動工序中，通過控制所述多個加熱器，使所述低溫區域和所述高溫區域的邊界向所述低溫區域側移動。

5.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

該基板處理裝置還具有氣體噴出單元，該氣體噴出單元在由所述基板保持單元保持的基板的上表面和處理液的液膜之間形成有氣相的狀態下，向所述高溫區域噴出氣體。

6.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

由所述處理液供給單元向基板供給的處理液是表面張力比水小且沸點比水低的液體。

7.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述基板保持單元具有：

第一基板保持單元，一邊將基板保持為水平姿勢，一邊使基板圍繞通過基板的中心部的鉛垂的旋轉軸線旋轉；

第二基板保持單元，包括支撐板和板升降單元，該支撐板將基板支撐為水平姿勢，該板升降單元使所述支撐板沿鉛垂方向在上位置和下位置之間升降，所述上位置是所述支撐板對基板的支撐位置位于所述第一基板保持單元對基板的保持位置的上方的位置，所述下位置是所述支撐板對基板的支撐位置位于所述第一基板保持單元對基板的保持位置的下方的位置，

在基板的整個上表面由處理液的液膜覆蓋的狀態下，所述基板加熱單元通過以處理液的沸點以上的溫度對被所述支撐板支撐的基板進行加熱來使處理液蒸發，以在處理液的液膜和基板的上表面之間形成氣相。

8.如權利要求1～7中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述基板處理裝置具有：

內腔室，容納所述基板保持單元，并能夠開閉；

外腔室，容納所述內腔室。

9.如權利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述基板處理裝置還具有向所述內腔室的內部供給非活性氣體的非活性氣體供給單元。