[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體裝置的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810130900.6 | 申請日: | 2018-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN108666225B | 公開(公告)日: | 2023-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 柳生祐貴;磯崎誠也 | 申請(專利權(quán))人: | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488 |
| 代理公司: | 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人: | 歐陽帆 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制造 半導(dǎo)體 裝置 方法 | ||
本公開涉及制造半導(dǎo)體裝置的方法。為了提供具有改進(jìn)的可靠性的半導(dǎo)體裝置。制造半導(dǎo)體裝置的方法包括:將由銅組成的導(dǎo)線與在半導(dǎo)體芯片的焊盤電極上形成的導(dǎo)電層連接,對半導(dǎo)體芯片進(jìn)行熱處理,以及然后用樹脂密封半導(dǎo)體芯片和導(dǎo)線。
相關(guān)申請的交叉引用
于2017年3月27日提交的日本專利申請No.2017-061806的公開內(nèi)容(包括說明書、附圖和摘要)的全部通過引用并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體裝置的方法。具體地,本發(fā)明涉及在應(yīng)用于制造半導(dǎo)體裝置的方法時有效的技術(shù),所述方法包括將銅線經(jīng)由導(dǎo)電層與焊盤電極的表面連接。
背景技術(shù)
日本未經(jīng)審查的專利申請公開No.2014-187073(專利文獻(xiàn)1)公開了在由Al-Cu合金膜制成的焊盤電極上形成鍍膜、將銅線連接到鍍膜并由此將焊盤電極與銅線電連接的技術(shù)。鍍膜由作為下層的OPM膜OP1和作為上層的OPM膜OP2組成。作為OPM膜OP1,公開了Ni膜、Ti膜、Cr膜等,以及作為OPM膜OP2,公開了Pd膜、Au膜等。
日本未經(jīng)審查的專利申請公開No.2008-311316(專利文獻(xiàn)2)涉及在其上具有由難熔金屬制成的金屬化層的陶瓷基板上安裝半導(dǎo)體芯片并經(jīng)由導(dǎo)線將半導(dǎo)體芯片與金屬化層連接的技術(shù)。該文獻(xiàn)公開了在形成在金屬化層上的鎳鍍層和金鍍層之間插入防擴(kuò)散鍍層并由此改進(jìn)導(dǎo)線的連接強(qiáng)度的技術(shù)。
[專利文獻(xiàn)1]日本未經(jīng)審查的專利申請公開No.2014-187073
[專利文獻(xiàn)2]日本未經(jīng)審查的專利申請公開No.2008-311316
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)研究了通過用樹脂密封具有焊盤電極的半導(dǎo)體芯片而獲得的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置的輸入/輸出端子經(jīng)由導(dǎo)線與半導(dǎo)體芯片的焊盤電極電連接。這種導(dǎo)線經(jīng)由在焊盤電極上形成的、由金屬制成的導(dǎo)電層與焊盤電極電連接。
期望上述半導(dǎo)體裝置具有改進(jìn)的可靠性。
根據(jù)本文的描述和附圖,其它問題和新穎的特征將是清楚的。
根據(jù)一個實施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法包括:將由銅組成的導(dǎo)線與在半導(dǎo)體芯片的焊盤電極上形成的導(dǎo)電層連接,對半導(dǎo)體芯片進(jìn)行熱處理,以及然后用樹脂密封半導(dǎo)體芯片和導(dǎo)線。
根據(jù)一個實施例,能夠提供具有改進(jìn)的可靠性的半導(dǎo)體裝置。
附圖說明
圖1是本實施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖;
圖2是沿圖1的線A-A截取的截面圖;
圖3是本實施例的半導(dǎo)體芯片的平面圖;
圖4是作為本實施例的半導(dǎo)體元件的非易失性存儲器單元的截面圖;
圖5是沿圖3的線B-B截取的局部截面圖;
圖6是圖5的局部放大圖;
圖7是示出本實施例的半導(dǎo)體裝置的制造步驟的過程流程圖;
圖8是在本實施例的半導(dǎo)體裝置的制造步驟期間本實施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖;
圖9是在圖8之后的半導(dǎo)體裝置的制造步驟期間半導(dǎo)體裝置的平面圖;
圖10是在圖9中所示的導(dǎo)電層OP的制造步驟期間圖9中所示的導(dǎo)電層OP的截面圖;
圖11是在圖10之后的導(dǎo)電層OP的制造步驟期間導(dǎo)電層OP的截面圖;
圖12是在圖11之后的導(dǎo)電層OP的制造步驟期間導(dǎo)電層OP的截面圖;
圖13是在圖12之后的導(dǎo)電層OP的制造步驟期間導(dǎo)電層OP的截面圖;
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





