[發(fā)明專利]鎵鐿離子共摻Y(jié)AG超快閃爍晶體及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810130637.0 | 申請(qǐng)日： | 2018-02-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108396383B | 公開（公告）日： | 2019-02-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 齊紅基;靳亞雪;潘明艷;邵建達(dá);顧國(guó)瑞 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所 |
| 主分類號(hào)： | C30B29/28 | 分類號(hào)： | C30B29/28;C30B11/00;C30B15/00;C09K11/80 |
| 代理公司： | 上海恒慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 張寧展 |
| 地址： | 201800 *** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 離子 閃爍晶體 鐿離子 共摻 制備 摻雜量 高能物理 超快脈沖 輻射探測(cè) 輻照損傷 帶隙 格位 減小 式中 應(yīng)用 | ||
1.一種鎵鐿離子共摻Y(jié)AG超快閃爍晶體的制備方法，該閃爍晶體的分子式為(Yb0.1Y0.9)3Al5-xGaxO12，式中x＝1，2，3，4，5，x為Ga離子的摻雜量，Ga離子進(jìn)入晶體取代Al離子，Yb離子的摻雜量為10％，Yb離子進(jìn)入晶體取代Y離子格位，其特征在于該方法步驟如下：
①配制塊料：
采用Yb2O3、Y2O3、Al2O3和Ga2O3作為初始原料并按摩爾比0.15：1.35：(5-x)/2：x/2進(jìn)行配料，其中x＝1，2，3，4，5；原料充分混合均勻后用等靜壓機(jī)壓制成塊，然后裝入氧化鋁坩堝內(nèi)，放進(jìn)馬弗爐中燒結(jié)，用10個(gè)小時(shí)升溫至1300℃，恒溫10個(gè)小時(shí)后經(jīng)10小時(shí)降溫至室溫，將塊料取出放入坩堝內(nèi)；
②采用熔體法生長(zhǎng)(Yb0.1Y0.9)3Al5-xGaxO12閃爍晶體：用氧化鋯和氧化鋁做保溫材料，用寶石片封住觀察口，采用惰性氣體保護(hù)，生長(zhǎng)溫度為1970℃，生長(zhǎng)制備化學(xué)式為(Yb0.1Y0.9)3Al5-xGaxO12的晶體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎵和鐿離子共摻Y(jié)AG超快閃爍晶體的制備方法，其特征是，所用原料的純度為：Yb2O3：≥99.999％，Y2O3：≥99.999％，Al2O3：≥99.999％，Ga2O3：≥99.99％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎵和鐿離子共摻Y(jié)AG超快閃爍晶體的制備方法，其特征是，所述的熔體法為提拉法，所述的坩堝材料采用銥金，籽晶為<111>或<110>方向的純YAG籽晶，晶體生長(zhǎng)在高純Ar和高純CO2(1：1)混合氣氛中進(jìn)行，提拉速度為0.5～5mm/h，晶體轉(zhuǎn)速10～30rpm。
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