[發(fā)明專利]非易失性存儲(chǔ)器裝置及其操作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810129145.X | 申請(qǐng)日: | 2018-02-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108806748A | 公開(公告)日: | 2018-11-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林崇榮;金雅琴 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 卡比科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C16/04 | 分類號(hào): | G11C16/04;G11C16/30 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 黃艷 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹市東區(qū)明*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 柵極元件 浮接 電位 非易失性存儲(chǔ)器裝置 控制電位 讀取 電性狀態(tài) 選擇柵極 配置 寫入 讀取電流 共用柵極 提升元件 元件電性 源極驅(qū)動(dòng) 字符驅(qū)動(dòng) 可靠度 氧化層 耦接 判定 | ||
1.一種非易失性存儲(chǔ)器裝置,其特征在于,包含:
一第一浮接?xùn)艠O元件,包含一柵極,并配置以根據(jù)一讀取電位、一控制電位以及該柵極的一電性狀態(tài)產(chǎn)生一讀取電流;
一第二浮接?xùn)艠O元件,與該第一浮接?xùn)艠O元件共用該柵極,并配置以根據(jù)一寫入電位以及該控制電位決定該柵極的該電性狀態(tài);以及
一選擇柵極元件,電性耦接于該第一浮接?xùn)艠O元件以及該第二浮接?xùn)艠O元件,并配置以根據(jù)一字符驅(qū)動(dòng)電位以及一源極驅(qū)動(dòng)電位產(chǎn)生該控制電位。
2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器裝置,其特征在于,該第一浮接?xùn)艠O元件包含一第一源/漏極以及一第二源/漏極,并配置以于該第一源/漏極接收該讀取電位以及于該第二源/漏極接收該控制電位,且根據(jù)該讀取電位、該控制電位以及該電性狀態(tài)產(chǎn)生該讀取電流至該第一源/漏極;以及
該第二浮接?xùn)艠O元件包含一第三源/漏極以及一第四源/漏極,配置以于該第三源/漏極接收該寫入電位以及于該第四源/漏極接收該控制電位。
3.如權(quán)利要求2所述的非易失性存儲(chǔ)器裝置,其特征在于,該選擇柵極元件包含電性耦接于該第二源/漏極以及該第四源/漏極的一第五源/漏極、一第六源/漏極以及一選擇柵極,該選擇柵極元件配置以于該選擇柵極接收該字符驅(qū)動(dòng)電位以及該第六源/漏極接收該源極驅(qū)動(dòng)電位時(shí)產(chǎn)生該控制電位。
4.如權(quán)利要求3所述的非易失性存儲(chǔ)器裝置,其特征在于,該第一源/漏極電性耦接于一位元線,該第三源/漏極電性耦接于一寫入線,該選擇柵極電性耦接于一字符線,且該第六源/漏極電性耦接于一源極線。
5.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器裝置,其特征在于,還包含:
一抹除柵極元件,電性耦接至該第一浮接?xùn)艠O元件與該第二浮接?xùn)艠O元件的該柵極,配置以依據(jù)一抹除電位線的一抹除電位而抹除該第一浮接?xùn)艠O元件與該第二浮接?xùn)艠O元件中的該電性狀態(tài)。
6.一種非易失性存儲(chǔ)器裝置,其特征在于,包含:
一第一浮接?xùn)艠O元件,包含一第一柵極,并配置以根據(jù)一第一讀取電位、一第一控制電位以及該第一柵極的一第一電性狀態(tài)產(chǎn)生一第一讀取電流;
一第二浮接?xùn)艠O元件,與該第一浮接?xùn)艠O元件共用該第一柵極,并配置以根據(jù)一第一寫入電位以及該第一控制電位決定該第一柵極的該第一電性狀態(tài);
一第一選擇柵極元件,電性耦接于該第一浮接?xùn)艠O元件以及該第二浮接?xùn)艠O元件,并配置以根據(jù)一字符驅(qū)動(dòng)電位以及一源極驅(qū)動(dòng)電位產(chǎn)生該控制電位;
一第三浮接?xùn)艠O元件,包含一第二柵極,并配置以根據(jù)一第二讀取電位、一第二控制電位以及該第二柵極的一第二電性狀態(tài)產(chǎn)生一第二讀取電流;
一第四浮接?xùn)艠O元件,與該第三浮接?xùn)艠O元件共用該第二柵極,并配置以根據(jù)一第二寫入電位以及該第二控制電位決定該第二柵極的該第二電性狀態(tài);以及
一第二選擇柵極元件,電性耦接于該第三浮接?xùn)艠O元件以及該第四浮接?xùn)艠O元件,并配置以根據(jù)該字符驅(qū)動(dòng)電位以及該源極驅(qū)動(dòng)電位產(chǎn)生該控制電位。
7.如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲(chǔ)器裝置,其特征在于,還包含:
一第一抹除柵極元件,電性耦接至該第一浮接?xùn)艠O元件與該第二浮接?xùn)艠O元件的該第一柵極,配置以依據(jù)一抹除電位線的一抹除電位而抹除該第一浮接?xùn)艠O元件與該第二浮接?xùn)艠O元件中的該第一電性狀態(tài);以及
一第二抹除柵極元件,電性耦接至該第三浮接?xùn)艠O元件與該第四浮接?xùn)艠O元件的該第二柵極,配置以依據(jù)該抹除電位線的該抹除電位而抹除該第三浮接?xùn)艠O元件與該第四浮接?xùn)艠O元件中的該第二電性狀態(tài)。
8.一種非易失性存儲(chǔ)器裝置操作方法,其特征在于,包含:
使一選擇柵極元件根據(jù)一字符驅(qū)動(dòng)電位以及一源極驅(qū)動(dòng)電位產(chǎn)生一控制電位;
使包含一柵極的一第一浮接?xùn)艠O元件根據(jù)一讀取電位、一控制電位以及該柵極的一電性狀態(tài)產(chǎn)生一讀取電流;
使該選擇柵極元件根據(jù)該字符驅(qū)動(dòng)電位以及該源極驅(qū)動(dòng)電位產(chǎn)生該控制電位;
使與該第一浮接?xùn)艠O元件共用該柵極的一第二浮接?xùn)艠O元件根據(jù)一寫入電位以及該控制電位決定該柵極的該電性狀態(tài)。
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