[發明專利]層疊結構、發光部件、發光裝置和圖像形成裝置

在審

• 申請號: 201810127276.4
• 申請日: 2018-02-08
• 公開（公告）號: CN108428714A
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發明（設計）人: 近藤崇
• 申請（專利權）人: 富士施樂株式會社
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;G03G15/04;G03G15/32
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

本發明公開了一種層疊結構、發光部件、發光裝置和圖像形成裝置，該層疊結構具備：晶閘管，所述晶閘管至少具有依次排列的陽極層、第一柵極層、第二柵極層和陰極層的四層；以及以與所述晶閘管串聯連接的方式設置的發光元件，所述晶閘管具有半導體層，所述半導體層的帶隙能量小于所述四層中的任一層的帶隙能量。

技術領域

本發明涉及一種層疊結構、發光部件、發光裝置和圖像形成裝置。

背景技術

在日本特開平1-238962號公報中記載有一種發光元件陣列，其將多個可從外部控制閾值電壓或閾值電流的發光元件進行一維、二維或三維排列，將控制各發光元件的閾值電壓或者閾值電流的電極相互電連接，并將從外部施加電壓或電流的時鐘線連接在各發光元件上。

在日本特開2009-286048號公報中記載有一種自掃描型光源頭，其具備：基板；面發光型半導體激光器，其以陣列狀配設在基板上；以及作為開關元件的晶閘管，其排列在基板上，使上述面發光型半導體激光器的發光有選擇地導通/斷開。

在日本特開2001-308385號公報中記載有一種自掃描型發光裝置，其構成pnpnpn六層半導體結構的發光元件，在兩端的p型第一層和n型第六層以及中央的p型第三層及n型第四層上設置電極，使pn層承擔發光二極管功能，使pnpn四層承擔晶閘管功能。

然而，例如，在具備傳遞部和發光部的自掃描型發光元件陣列中，若將發光部的發光元件作為由與傳遞部相同的半導體多層膜構成的晶閘管，則難以對發光部中的發光元件的發光特性等和傳遞部的傳遞特性等分別進行設定，難以實現驅動的高速化、光的高輸出化、高效率化、低功耗化、低成本化等。

因此，若將晶閘管和發光元件層疊，并將具有傳遞功能的晶閘管與具有發光功能的發光元件分離，則容易對晶閘管和發光元件進行分別設定。但是，由于將晶閘管和發光元件層疊，所以在發光元件處于ON狀態下，晶閘管也變為ON狀態，從而由于晶閘管的功耗而導致功率轉換效率降低。

發明內容

鑒于此，本發明的目的在于提供一種層疊結構等，與未使用電壓降低層的情況相比，能夠減少晶閘管處于ON狀態下的功耗。

根據本發明的第一方面，提供一種層疊結構，其具備：晶閘管，該晶閘管至少具有依次排列的陽極層、第一柵極層、第二柵極層和陰極層的四層；以及以與所述晶閘管串聯連接的方式設置的發光元件，所述晶閘管具有半導體層，該半導體層的帶隙能量小于所述四層中的任一層的帶隙能量。

根據本發明的第二方面，所述發光元件具有發光層，所述半導體層是帶隙能量小于所述發光元件所具有的所述發光層的帶隙能量的半導體層。

根據本發明的第三方面，所述半導體層設置在所述陽極層與所述第一柵極層之間。

根據本發明的第四方面，在所述第一柵極層設置有柵電極。

根據本發明的第五方面，所述半導體層設置在所述第二柵極層與所述陰極層之間。

根據本發明的第六方面，在所述第二柵極層設置有柵電極。

根據本發明的第七方面，提供一種發光部件，其具備：多個傳遞元件，該多個傳遞元件依次變為ON狀態；以及多個根據第一方面所述的層疊結構，其分別與多個所述傳遞元件連接，當多個所述傳遞元件依次變為ON狀態時，多個所述層疊結構的每一個所具有的晶閘管可依次向ON狀態轉換，當多個所述層疊結構的每一個所具有的所述晶閘管依次變為ON狀態時，多個所述層疊結構的每一個所具有的發光元件依次發光或增加發光量。

根據本發明的第八方面，提供一種發光裝置，其具備：根據第七方面所述的發光部件；以及光學單元，該光學單元二維發射從所述發光部件射出的光。