[發明專利]影像感測器結構有效
| 申請號: | 201810127191.6 | 申請日: | 2018-02-08 |
| 公開(公告)號: | CN108807432B | 公開(公告)日: | 2020-03-31 |
| 發明(設計)人: | 謝于叡;陳柏男 | 申請(專利權)人: | 奇景光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 影像 感測器 結構 | ||
本發明公開一種影像感測器結構,包含基板、彩色濾光元件和紅外線濾光元件。基板具有第一感測區域及一第二感測區域,其中第一感測區域用以偵測可見光,且第二感測區域鄰接第一感測區域且用以偵測紅外光。彩色濾光元件垂直地位于第一感測區域上。紅外線濾光元件垂直地位于第二感測區域上且鄰接彩色濾光元件,此紅外線濾光元件定義出用以使入射光通過的一或多個開口。
技術領域
本發明涉及一種影像感測器結構,且特別是涉及一種具紅外光偵測功能的影像感測器結構。
背景技術
影像感測器已廣泛使用在各種影像應用和產品上,例如智能型手機、數字相機、掃描器等。另外,具有紅外光偵測功能的影像感測器可偵測紅外光和可見光,以得到更多的信息。具有紅外光偵測功能的影像感測器可應用在例如虹膜辨識、物件偵測和類似的安全應用上。
發明內容
本發明的目的在于提供一種具紅外光偵測功能的影像感測器結構,其具有高光通量以通過紅外光,以增強經由轉換所偵測到的紅外光而得到的紅外光信號。
根據本發明的上述目的,提出一種影像感測器結構,此影像感測器結構包含基板、彩色濾光元件和第一紅外線濾光元件。基板具有第一感測區域及第二感測區域,其中第一感測區域用以偵測可見光,且第二感測區域鄰接第一感測區域且用以偵測紅外光。彩色濾光元件垂直地位于第一感測區域上。第一紅外線濾光元件垂直地位于第二感測區域上且鄰接彩色濾光元件,此第一紅外線濾光元件定義出用以使入射光通過的一或多個開口。
依據本發明的一實施例,上述一或多個開口的每一者的一長度及一寬度實質等于或小于400納米。
依據本發明的又一實施例,上述第一紅外線濾光元件具有網格形狀,此網格形狀定義出上述一或多個開口。
依據本發明的又一實施例,上述第一紅外線濾光元件是紅外線通過濾光元件。
依據本發明的又一實施例,上述影像感測器結構還包含第二紅外線濾光元件、第三紅外線濾光元件和平坦層。第二紅外線濾光元件位于第一感測區域上。第三紅外線濾光元件位于上述第二感測區域上且鄰接上述第二紅外線濾光元件。平坦層位于上述第二紅外線濾光元件及上述第三紅外線濾光元件上且位于上述彩色濾光元件及上述第一紅外線濾光元件下。
依據本發明的又一實施例,上述第二紅外線濾光元件是紅外線通過濾光元件。
依據本發明的又一實施例,上述第三紅外線濾光元件是白色濾光元件。
依據本發明的又一實施例,上述第三紅外線濾光元件是紅外線截止濾光元件。
依據本發明的又一實施例,上述影像感測器結構還包含間隔層和微透鏡層。間隔層位于上述彩色濾光元件和上述第一紅外線濾光元件上且填充上述一或多個開口。微透鏡層位于間隔層上。
依據本發明的又一實施例,上述彩色濾光元件包含紅色光濾光部、藍色光濾光部及綠色光濾光部。
依據本發明的又一實施例,上述影像感測器結構還包含至少一彩色光二極管和紅外光二極管。此至少一彩色光二極管位于上述基板的第一感測區域中。紅外光二極管位于上述基板的第二感測區域中。
根據本發明的上述目的,另提出一種影像感測器結構,此影像感測器結構包含基板、第一紅外線濾光元件、第二紅外線濾光元件、平坦層、彩色濾光元件和第三紅外線濾光元件。基板具有第一感測區域及第二感測區域,其中第一感測區域用以偵測可見光,且第二感測區域鄰接第一感測區域且用以偵測紅外光。第一紅外線濾光元件設置于第一感測區域上。第二紅外線濾光元件設置于第二感測區域上且鄰接第一紅外線濾光元件,此第二紅外線濾光元件定義出用以使入射光通過的一或多個開口。平坦層位于第一紅外線濾光元件及第二紅外線濾光元件上且填充此一或多個開口。彩色濾光元件位于平坦層上且垂直地位于第一感測區域上。第三紅外線濾光元件位于平坦層上且垂直地位于第二感測區域上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





