[發明專利]一種參數可配置的動態BCH糾錯方法及裝置

有效

• 申請號: 201810125124.0
• 申請日: 2018-02-07
• 公開（公告）號: CN108363639B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發明（設計）人: 劉政林;王宇;潘玉茜;李四林
• 申請（專利權）人: 置富科技（深圳）股份有限公司
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10
• 代理公司: 北京中強智尚知識產權代理有限公司 11448
• 代理人: 韓明

1.一種參數可配置的動態BCH糾錯方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，根據Flash頁容量大小、冗余區空間以及錯誤率要求，選擇合適的糾錯碼碼長分組方案；其中所述糾錯碼碼長分組方案包括短碼方案和長碼方案，每組方案均包括多級糾錯模式；

步驟2，根據Flash的比特錯誤率變化曲線設置與所述短碼方案和長碼方案的級別相對應的糾錯能力調整閾值；

步驟3，Flash系統固件實時獲取P/E周期數，并根據所述P/E周期數與所述糾錯能力調整閾值的大小，選取合適的糾錯模式級別，以實現BCH糾錯參數的動態配置；所述短碼方案包括兩級糾錯模式，各級糾錯模式對應的糾錯能力t分別為t＝8和t＝24；所述長碼方案包括三級糾錯模式，各級糾錯模式對應的糾錯能力t’分別為t’＝8、t’＝24和t’＝40；所述短碼方案對應一個糾錯能力調整閾值C_level，所述長碼方案對應兩個糾錯能力調整閾值C_level1和C_level2，其中C_level1C_level2；針對所述短碼方案，若C_P/E≤C_level,則選取低糾錯模式，即糾錯能力t＝8，若C_level≤C_P/E，則選取高糾錯模式，即糾錯能力t＝24；

針對所述長碼方案，若C_P/E≤C_level1,則選取低糾錯模式，即糾錯能力t’＝8，若C_level1≤C_P/E≤C_level2，則選取中糾錯模式，即糾錯能力t’＝24，若C_level2≤C_P/E,則選取高糾錯模式，即糾錯能力t’＝40。

2.根據權利要求1所述一種參數可配置的動態BCH糾錯方法，其特征在于，所述糾錯能力調整閾值的大小與Flash的比特錯誤率變化曲線及初始比特錯誤率有關。

3.一種參數可配置的動態BCH糾錯裝置，其特征在于，包括：

方案選擇模塊，用于根據Flash頁容量大小、冗余區空間以及錯誤率要求，選擇合適的糾錯碼碼長分組方案；其中所述糾錯碼碼長分組方案包括短碼方案和長碼方案，每組方案均包括多級糾錯模式；

閾值設定模塊，用于根據Flash的比特錯誤率變化曲線設置與所述短碼方案和長碼方案的級別相對應的糾錯能力調整閾值；

動態配置模塊，用于Flash系統固件實時獲取P/E周期數，并根據所述P/E周期數與所述糾錯能力調整閾值的大小，選取合適的糾錯模式級別，以實現BCH糾錯參數的動態配置；所述短碼方案包括兩級糾錯模式，各級糾錯模式對應的糾錯能力t分別為t＝8和t＝24；所述長碼方案包括三級糾錯模式，各級糾錯模式對應的糾錯能力t’分別為t’＝8、t’＝24和t’＝40；所述短碼方案對應一個糾錯能力調整閾值C_level，所述長碼方案對應兩個糾錯能力調整閾值C_level1和C_level2，其中C_level1C_level2；針對所述短碼方案，若C_P/E≤C_level,則選取低糾錯模式，即糾錯能力t＝8，若C_level≤C_P/E，則選取高糾錯模式，即糾錯能力t＝24；

針對所述長碼方案，若C_P/E≤C_level1,則選取低糾錯模式，即糾錯能力t’＝8，若C_level1≤C_P/E≤C_level2，則選取中糾錯模式，即糾錯能力t’＝24，若C_level2≤C_P/E,則選取高糾錯模式，即糾錯能力t’＝40。

4.根據權利要求3所述一種參數可配置的動態BCH糾錯裝置，其特征在于，所述糾錯能力調整閾值的大小與Flash的比特錯誤率變化曲線及初始比特錯誤率有關。