[發(fā)明專利]垂直式晶片與水平式晶片的嵌入型封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810124823.3
• 申請(qǐng)日: 2018-02-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110120353B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 璩澤明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 訊憶科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/56
• 分類號(hào): H01L21/56;H01L23/31;H01L25/065
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨;李林

1.一種垂直式晶片的嵌入型封裝結(jié)構(gòu)，其特征是包含：

一基板，其具有一第一面及相對(duì)的一第二面，其中在該第二面上設(shè)有一第一電路層，在該基板的第一面上鉆孔成型至少一第一盲孔及至少一第二盲孔，其中各第一盲孔及各第二盲孔分別由該第一面穿過(guò)該基板厚度而連通至該第一電路層；

至少一垂直式晶片，各垂直式晶片具有至少二晶墊，其中至少一晶墊設(shè)在各垂直式晶片的一第一表面上，而其他至少一晶墊設(shè)在相對(duì)的第二表面上，各垂直式晶片嵌入于所對(duì)應(yīng)的各第一盲孔內(nèi)，并使設(shè)在第二表面上的各晶墊能憑借導(dǎo)電材以電性連結(jié)至該基板的第一電路層；

一絕緣層，其覆設(shè)在該基板的第一面上，且在該絕緣層上鉆孔成型至少一第三盲孔及至少一第四盲孔；其中各第三盲孔穿過(guò)該絕緣層厚度而連通至該垂直式晶片的第一表面；其中各第四盲孔貫穿該絕緣層厚度并對(duì)應(yīng)連通至設(shè)在該基板上的各第二盲孔，使各第四盲孔與所對(duì)應(yīng)的各第二盲孔能形成一上下連通的一體式盲孔；

一第二電路層，其利用電鍍技術(shù)以成型在該絕緣層的表面上以及各第三盲孔、各第四盲孔與各第二盲孔的內(nèi)壁面上，使設(shè)在該垂直式晶片的第一表面上的各晶墊能憑借該第二電路層以電性連結(jié)至該第一電路層。

2.如權(quán)利要求1所述的垂直式晶片的嵌入型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：該絕緣層進(jìn)一步填滿各垂直式晶片嵌入在各第一盲孔中所留下的空隙。

3.如權(quán)利要求1所述的垂直式晶片的嵌入型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：還包含一外護(hù)層，該外護(hù)層覆設(shè)在該第二電路層上并填滿各第三盲孔、各第四盲孔及各第二盲孔。

4.如權(quán)利要求1所述的垂直式晶片的嵌入型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：該基板的第一盲孔的深度等于該垂直式晶片的厚度。

5.一種垂直式晶片的嵌入型封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征是包含下列步驟：

步驟S1：提供一基板，其具有一第一面及相對(duì)的一第二面，在該第二面上設(shè)有一第一電路層，在該基板的第一面上鉆孔成型至少一第一盲孔及至少一第二盲孔，其中各第一盲孔及各第二盲孔分別由該基板的第一面穿過(guò)該基板厚度而連通至該第一電路層；

步驟S2：提供至少一垂直式晶片，各垂直式晶片設(shè)有至少二晶墊，其中至少一晶墊設(shè)在各垂直式晶片的一第一表面上，其他至少一晶墊設(shè)在各垂直式晶片的相對(duì)的一第二表面上；

步驟S3：將各垂直式晶片分別嵌入于所對(duì)應(yīng)的各第一盲孔內(nèi)，并使設(shè)在各垂直式晶片的第二表面上的各晶墊憑借導(dǎo)電材以電性連結(jié)至該基板的第一電路層；

步驟S4：在該基板的第一面上覆設(shè)一絕緣層；

步驟S5：在該絕緣層上鉆孔成型至少一第三盲孔及至少一第四盲孔，其中各第三盲孔分別穿過(guò)該絕緣層厚度而連通至各垂直式晶片的第一表面上所設(shè)的各晶墊，其中各第四盲孔系在鉆孔成型時(shí)能同時(shí)貫穿該絕緣層厚度并對(duì)應(yīng)連通至設(shè)在該基板上的各第二盲孔，使各第四盲孔能與所對(duì)應(yīng)的各第二盲孔形成一上下連通的一體式盲孔；

步驟S6：利用電鍍技術(shù)以在該絕緣層的表面上及各第三盲孔、各第四盲孔及各第二盲孔的內(nèi)壁面上成型一第二電路層，以使設(shè)在該垂直式晶片的第一表面上的各晶墊能憑借該第二電路層以電性連結(jié)至設(shè)在該基板的第二面上的該第一電路層。

6.如權(quán)利要求5所述的垂直式晶片的嵌入型封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：還包含一步驟S7：設(shè)一外護(hù)層，使該外護(hù)層覆設(shè)在該第二電路層上并填滿各第三盲孔、各第四盲孔及各第二盲孔。