[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝裝置及制造半導(dǎo)體封裝裝置的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810123992.5
• 申請日: 2018-02-07
• 公開（公告）號: CN109037199B
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃政羚;陳盈仲
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導(dǎo)體封裝裝置，其包括：

襯底，所述襯底具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面；

光發(fā)射器，所述光發(fā)射器是在所述襯底的所述第一表面上，且具有鄰接于所述襯底的所述第一表面的發(fā)光區(qū)域；

光檢測器，所述光檢測器是在所述襯底的所述第一表面上，且具有鄰接于所述襯底的所述第一表面的光接收區(qū)域；

透明導(dǎo)電薄膜，其在所述襯底的所述第二表面上；及

阻光元件，其安置于所述襯底內(nèi)且穿過所述襯底，其中所述阻光元件是導(dǎo)電的，其中所述阻光元件電連接到所述透明導(dǎo)電薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述透明導(dǎo)電薄膜包括透明導(dǎo)電氧化物、導(dǎo)電聚合物、金屬柵格、碳納米管、石墨烯、納米線網(wǎng)格或超薄金屬薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述阻光元件安置于所述光發(fā)射器與所述光檢測器之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述襯底進(jìn)一步包括導(dǎo)電層，其鄰接于所述襯底的所述第一表面，且所述導(dǎo)電層經(jīng)由所述阻光元件電連接到所述透明導(dǎo)電薄膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述阻光元件包括石墨烯。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其進(jìn)一步包括：

第一透明層，所述第一透明層是在所述光發(fā)射器與所述襯底的所述第一表面之間；

第二透明層，所述第二透明層是在所述光檢測器與所述襯底的所述第一表面之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述第一透明層及所述第二透明層是底部填充件。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其進(jìn)一步包括不透光層，其位于所述襯底的所述第一表面上以覆蓋所述光發(fā)射器、所述光檢測器、所述第一透明層及所述第二透明層的至少一部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述不透光層包括模制化合物。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述襯底是玻璃襯底。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述透明導(dǎo)電薄膜電連接至所述不透光層。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其進(jìn)一步包括導(dǎo)電元件，其將在所述襯底上之導(dǎo)電墊電連接至所述不透光層上之導(dǎo)電接點(diǎn)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其進(jìn)一步包括導(dǎo)電元件，其位于光發(fā)射器與光檢測器之間。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述阻光元件具有寬度大于約10微米(μm)。

15.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述第一透明層覆蓋光發(fā)射器的所述發(fā)光區(qū)域。

16.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述第二透明層覆蓋光檢測器的所述光接收區(qū)域。