[發(fā)明專利]一種半導體激光器的生產(chǎn)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810123991.0
• 申請日: 2018-02-07
• 公開（公告）號: CN110120626B
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發(fā)明（設計）人: 蘇建;李沛旭;湯慶敏;夏偉;鄭兆河;肖成峰
• 申請（專利權）人: 山東華光光電子股份有限公司
• 主分類號: H01S5/022
• 分類號: H01S5/022
• 代理公司: 濟南金迪知識產(chǎn)權代理有限公司 37219
• 代理人: 葉亞林

1.一種半導體激光器的生產(chǎn)方法，其特征在于，包括步驟如下：

1)制作激光器基底，在所述激光器基底的表面蒸鍍金屬導電層；

2)在激光器基底表面涂光刻膠，使用光刻板曝光，得到均勻排列的橫向槽和縱向槽；

3)光刻膠顯影；去掉橫向槽和縱向槽中的光刻膠，其他區(qū)域光刻膠保護；

4)去掉橫向槽和縱向槽內(nèi)的金屬導電層；刻蝕橫向槽和縱向槽內(nèi)的激光器基底，刻蝕深度≥10um；

5)清洗激光器基底，將P面朝下的激光器芯片封裝到激光器基底上，激光器芯片的出光面探出橫向槽下側邊0～10um，激光器芯片的右側邊在縱向槽左側邊的內(nèi)側10～50um；

6)在激光器基底表面涂光刻膠，通過光刻板曝光，得到長方形區(qū)域；所述長方形區(qū)域的左側邊跨過激光器芯片右側邊30～50um，長方形區(qū)域的右側邊跨過所述縱向槽的右側邊30～50um；長方形區(qū)域的上側邊在激光器芯片上側邊內(nèi)側30～50um，長方形區(qū)域的下側邊在激光器芯片下側邊內(nèi)側30～50um；顯影后，激光器基底表面長方形區(qū)域外的區(qū)域光刻膠保護；

7)在激光器基底表面生長絕緣膜，厚度≥0.02um，生長后剝離表面光刻膠，僅在所述長方形區(qū)域內(nèi)保留絕緣膜；

8)在激光器基底表面涂光刻膠，通過光刻板曝光，得到長方形蒸鍍金屬區(qū)，長方形蒸鍍金屬區(qū)的左側邊與激光器芯片的左側邊距離≥30um，長方形蒸鍍金屬區(qū)的右側邊跨過所述縱向槽的左側邊100um～500um；顯影后所述長方形蒸鍍金屬區(qū)內(nèi)沒有光刻膠保護；

9)在激光器基底表面蒸鍍金屬層，金屬層厚度≥0.5um，蒸鍍金屬層后將光刻膠剝離去除；

10)切割得到單個激光器芯片；以所述縱向槽為邊界，縱向槽的左側為激光器芯片正電極，縱向槽的右側為激光器芯片負電極。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體激光器的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述步驟1)中的激光器基底為絕緣材料；所述激光器基底為圓形，直徑為2英寸～4英寸，厚度為200～400um；所述金屬導電層的厚度為1～4um。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體激光器的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述步驟2)中，所述橫向槽的寬度為30～40um，所述縱向槽的寬度為10～50um，橫向槽之間的間隔為2～3mm，縱向槽之間的間隔為2～3mm。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體激光器的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述步驟4)中，橫向槽和縱向槽內(nèi)的金屬導電層通過化學腐蝕的方法去除；通過ICP刻蝕工藝刻蝕橫向槽和縱向槽內(nèi)的激光器基底。

5.根據(jù)權利要求1所述的半導體激光器的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述步驟5)中，將P面朝下的激光器芯片用銦或銀漿封裝到激光器基底上。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體激光器的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述步驟7)中，所述絕緣膜的材質(zhì)為SiO₂、氮化硅、Al₂O₃或氧化鈦。

7.根據(jù)權利要求1所述的半導體激光器的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述步驟10)中，橫向切割在所述橫向槽的中間位置，縱向切割在長方形蒸鍍金屬區(qū)域的邊緣處。