[發(fā)明專利]一種有機(jī)發(fā)光材料及其應(yīng)用

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201810123877.8
• 申請日: 2018-02-07
• 公開（公告）號: CN108165263A
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝再鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞聲科技（南京）有限公司
• 主分類號: C09K11/06
• 分類號: C09K11/06;C07D235/18;C07D403/10;C07D413/10;C07D235/02;C07D233/56;H01L51/50;H01L51/54
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本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種有機(jī)發(fā)光材料及其應(yīng)用。本發(fā)明的材料具有通式(Ⅰ)所示結(jié)構(gòu)：X₁、X₂各自獨(dú)立地為C原子或Si原子；Z₁、Z₂各自獨(dú)立地為未取代或取代的五元芳香環(huán)、六元芳香環(huán)或稠環(huán)，且R₁、R₂各自獨(dú)立地為烷基、氨基、亞胺基、氘代物或苯環(huán)；A為吸電子官能團(tuán)。該材料同時具有TADF功能和光萃取功能，并是一種空穴傳輸與電子傳輸能力平衡的客體材料，以其作為OLED器件發(fā)光層，可有效避免器件性能降低，且有利于降低器件效率的滾降。此外，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光材料不含咔唑或三苯胺等官能團(tuán)，以該材料制備的OLED器件穩(wěn)定性好，不易發(fā)生老化問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種有機(jī)發(fā)光材料及其應(yīng)用。

背景技術(shù)

有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)作為新一代的平板顯示技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生并逐漸進(jìn)入了人們的視野。最初的OLED結(jié)構(gòu)非常簡單，就是陽極/發(fā)光層(包含一種發(fā)光材料)EML/陰極，這種簡單結(jié)構(gòu)的器件性能較差，所需的啟亮電壓高，且發(fā)光效率低。此后，多種器件結(jié)構(gòu)被相繼提出，例如現(xiàn)在的OLED的基本器件結(jié)構(gòu)為：陽極/空穴注入層HIL/空穴傳輸層HTL/EML發(fā)光層(主客體摻雜體系)/ETL電子傳輸層/電子注入層EIL/陰極。在這樣的多層器件結(jié)構(gòu)中，各個功能層負(fù)責(zé)單一的功能，從而使OLED的性能有了很大的提升。

OLED器件的易老化是目前該技術(shù)領(lǐng)域所面臨的一個亟待解決的問題。OLED器件易老化的一個主要原因是由于器件中的部分小分子材料容易在長期點(diǎn)亮過程中出現(xiàn)化學(xué)鍵斷裂，造成器件性能快速劣化。一般認(rèn)為，空穴傳輸材料中C-N鍵在是極易在老化過程中斷鍵的，例如，咔唑中或三苯胺有機(jī)官能團(tuán)中的C-N單鍵就極易斷鍵。目前很多的TADF材料設(shè)計，要達(dá)到HOMO-LUMO分離的目的，就必須要使用到含有咔唑或三苯胺或含C-N鍵的有機(jī)官能團(tuán)作為傳輸空穴或形成HOMO的有機(jī)基團(tuán)，然而，這些基團(tuán)極容易造成后續(xù)OLED器件老化。

此外，傳統(tǒng)的TADF OLED器件中，含有一個主體材料和一個客體TADF材料，但由于TADF光子的散射方向是隨機(jī)方向，只有垂直于ITO基板方向的光線有機(jī)會逃逸出器件外部，其它方向的光子經(jīng)過多次反射猝滅在器件內(nèi)部的波導(dǎo)模式。為了提高OLED器件的發(fā)光效率，傳統(tǒng)做法就是將在OLED器件外部貼附一層光線萃取膜，這種做法不僅增加生產(chǎn)成本，而且沒有實質(zhì)性接近OLED外部發(fā)光效率低下的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種有機(jī)發(fā)光材料及其在制備器件中的應(yīng)用，該種有機(jī)發(fā)光材料同時具有TADF功能和光萃取功能，且該種有機(jī)發(fā)光材料是一種空穴傳輸與電子傳輸能力平衡的客體材料；更重要的是，本發(fā)明所提供的有機(jī)發(fā)光材料不含有咔唑或三苯胺等官能團(tuán)。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實施方式提供了一種有機(jī)發(fā)光材料，具有通式(Ⅰ)所示的結(jié)構(gòu)：

其中，

X₁、X₂各自獨(dú)立地為C原子或Si原子；

Z₁、Z₂各自獨(dú)立地為未取代或取代的五元芳香環(huán)、六元芳香環(huán)或稠環(huán)，且R₁、R₂各自獨(dú)立地為烷基、氨基、亞胺基、氘代物或苯環(huán)；

A為吸電子官能團(tuán)。

在上述通式(Ⅰ)所示的結(jié)構(gòu)中，最低未占分子軌道分布在A上，最高占據(jù)分子軌道分布在A以外部分。

優(yōu)選地，A具有通式(Ⅱ)所示的結(jié)構(gòu)：

其中，

K₁、K₂各自獨(dú)立地為N原子或硼原子；