[發(fā)明專(zhuān)利]一種通過(guò)能量共振形成的有機(jī)發(fā)光材料及其應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810123324.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-02-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108409762A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-08-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 謝再鋒 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 瑞聲科技(南京)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C07F5/02 | 分類(lèi)號(hào): | C07F5/02;C09K11/06;H01L51/54 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 210093 江蘇省南京市鼓樓區(qū)青島路3*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī)發(fā)光材料 有機(jī)發(fā)光二極管器件 共振 有機(jī)電致發(fā)光器件 電子傳輸層材料 電子注入層材料 空穴傳輸層材料 空穴注入層材料 發(fā)光層材料 芳基環(huán) 雜芳基 窄峰 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種通過(guò)能量共振形成的有機(jī)發(fā)光材料,具有通式(I)所示的結(jié)構(gòu),其中,a1、a2、a3、a4環(huán)各自獨(dú)立地為芳基環(huán)或雜芳基環(huán),且a1、a2、a3、a4環(huán)中的至少一個(gè)氫被取代;X1≠X2,且X1、X2各自獨(dú)立為N或B原子。該種有機(jī)發(fā)光材料為一種窄峰寬的TADF材料,其具有非常低的FWHM值和高Kr值。本發(fā)明還公開(kāi)了一種有機(jī)發(fā)光二極管器件,上述的有機(jī)發(fā)光材料為有機(jī)發(fā)光二極管器件中的發(fā)光層材料、電子注入層材料、電子傳輸層材料、空穴注入層材料或空穴傳輸層材料。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種通過(guò)能量共振形成的有機(jī)發(fā)光材料及其應(yīng)用。
背景技術(shù)
對(duì)于OLED發(fā)光材料的發(fā)展而言,第一代的OLED發(fā)光材料為熒光OLED,第二代的OLED發(fā)光材料為磷光OLED。TADF熱延遲熒光,是第三代OLED發(fā)光材料。TADF熱延遲熒光是一類(lèi)不含有重金屬的純有機(jī)電致發(fā)光材料,內(nèi)部量子效率接近100%,為目前最為先進(jìn)的一種光電材料。
OLED在電場(chǎng)作用下,產(chǎn)生1個(gè)單重態(tài)S1激子和三個(gè)三重態(tài)T1激子。第一代熒光OLED,由于S1單重態(tài)和T1三重態(tài)之間的自旋度不同,是化學(xué)禁阻的,因此,只有25%的S1用于熒光發(fā)光,效率比較地低下。第二代磷光OLED,由于分子中的過(guò)渡金屬的D軌道是多重簡(jiǎn)并軌道,通過(guò)重金屬效應(yīng),使得原本化學(xué)禁阻的S1→T1之間電子躍遷變成可能(SOC軌道耦合),因此,理論上可以達(dá)到100%的磷光發(fā)光,發(fā)光效率比較高。第三代熱延遲熒光OLED,是一種利用能量上轉(zhuǎn)換機(jī)制進(jìn)行發(fā)光OLED材料,由于分子中S1和T1軌道能級(jí)接近,利用環(huán)境中的熱量,能夠使得T1激子躍遷到S1態(tài)軌道上,因此,理論上也可以得到100%的熒光發(fā)光,發(fā)光效率較熒光OLED提升明顯。
傳統(tǒng)TADF材料分子特征為,給電子分子片段D(Donor)和吸電子分子片段A(Acceptor) 是物理空間上分隔開(kāi)的,這種分隔可以是通過(guò)A和D各自平面形成比較大的二面角或是中間通過(guò)空間位阻進(jìn)行分離,形成A-D-A,D-A-D,D-A等特征的有機(jī)小分子結(jié)構(gòu)。D-A分離導(dǎo)致 HOMO-LUMO軌道重疊非常小,因?yàn)椋琀OMO最高占據(jù)分子軌道是游離在D上的,LUMO最低空軌道是游離在A上,只有HOMO-LUMO分離才能夠獲得較低的ΔEST,才能形成T1→S1的反向間隙穿越RISC。但是,S1→S0的躍遷速率Kr是反比于ΔEST的指數(shù),ΔEST越小,則 Kr越小,就會(huì)造成S1→S0電子躍遷成為禁阻。因此,傳統(tǒng)TADF分子結(jié)構(gòu)(D-A型或 D-A-D,A-D-A等)造成材料設(shè)計(jì)的矛盾,即要獲得TADF延遲熒光,就需要降低ΔEST,但 Kr也變小,影響發(fā)光。
目前TADF開(kāi)發(fā)的重心都在于降低ΔEST(單線(xiàn)態(tài)和三線(xiàn)態(tài)間分裂能)值,采用的理論策略是將HOMO-LUMO軌道分離,降低單線(xiàn)態(tài)和三線(xiàn)態(tài)間的交換能積分,分子設(shè)計(jì)上就需要將Donor給單子單元(D)和Acceptor吸電子(A)進(jìn)行物理空間上的分離,然而,這種分離雖然達(dá)到了HOMO-LUMO軌道分離的目的,但是帶來(lái)了材料其它方面性能的劣化:1)FWHM 半峰寬超過(guò)50nm;2)(S1→S0)的電子躍遷速率Kr減小,成為躍遷禁阻,降低了發(fā)光效率。
目前TADF材料的分子結(jié)構(gòu)決定其無(wú)法獲得窄峰寬(narrow-band)的光學(xué)特性,這是因?yàn)椋琓ADF材料是D-A分離,HOMO-LUMO分離的化學(xué)結(jié)構(gòu),導(dǎo)致了激發(fā)態(tài)分子(S1,T1) 結(jié)構(gòu)發(fā)生馳豫(Structural relaxation),造成光譜發(fā)生斯托克位移,從而形成了60-100nm的FWHM。這種半峰寬對(duì)于顯示是非常不利的,需要進(jìn)一步使用微腔技術(shù)進(jìn)行光譜調(diào)節(jié)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種通過(guò)能量共振形成的有機(jī)發(fā)光材料及其在制備器件中的應(yīng)用,該種有機(jī)發(fā)光材料一種新型窄帶TADF材料,具有非常低的FWHM值和高的Kr(S1→S0) 值。
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