[發明專利]一種氮化硅-聚酰亞胺復合介質的MIM電容器及制作方法

有效

• 申請號: 201810123229.2
• 申請日: 2018-02-07
• 公開（公告）號: CN108538816B
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發明（設計）人: 鄒冠;王勇;郭佳衢;魏鴻基;蔡文必
• 申請（專利權）人: 廈門市三安集成電路有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 張松亭;陳淑嫻

1.一種氮化硅-聚酰亞胺復合介質的MIM電容器的制作方法，其特征在于包括以下步驟：

1)對半導體襯底進行隔離處理；

2)于襯底上沉積第一金屬，蝕刻第一金屬形成分隔的電容下極板和連線層；

3)沉積厚度為的第一氮化硅層，蝕刻第一氮化硅層于電容下極板上形成用于定義電容器面積的窗口，所述窗口的側面的傾斜角度為25°～35°所述第一氮化硅層的折射率為2.06；

4)沉積厚度為的第二氮化硅層，第二氮化硅層于所述窗口內形成電容的介質層并定義電容器上下極板間距，所述第二氮化硅層的折射率為1.91；

5)形成聚酰亞胺層，聚酰亞胺層填覆電容下極板和連線層之間的凹槽；

6)沉積第二金屬形成電容上極板。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述半導體襯底包括硅、砷化鎵和氮化鎵。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述第一金屬厚度為所述聚酰亞胺層厚度為

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于：步驟5)中，所述聚酰亞胺層的形成包括：涂布聚酰亞胺，干燥，蝕刻聚酰亞胺以于所述窗口之上開口，且所述開口延伸至所述電容下極板之外0.2～0.8μm。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于：所述聚酰亞胺的開口側面的傾斜角度為40°～50°。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述第一氮化硅層的窗口邊緣位于所述電容下極板邊緣之內1μm～3μm。

7.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于：步驟6)之前還包括蝕刻所述連線層之上的第一氮化硅層、第二氮化硅層和聚酰亞胺以形成連通孔的步驟，所述第二金屬通過所述連通孔與所述連線層接觸。

8.權利要求書1～7任一項所述制作方法所制作的氮化硅-聚酰亞胺復合介質的MIM電容器，其特征在于：包括隔離處理的半導體襯底、第一金屬、第一氮化硅層、第二氮化硅層、聚酰亞胺層和第二金屬；所述第一金屬包括形成于所述襯底上并間隔排布的電容下極板和連線層；所述第一氮化硅覆蓋所述第一金屬并于所述電容下極板上形成窗口；所述第二氮化硅覆蓋所述窗口以形成電容的介質層；所述聚酰亞胺層填覆所述電容下極板和連線層之間的凹槽；所述第二金屬覆蓋所述電容的介質層以形成電容上極板，并延伸至所述連線層上方；其中所述第一氮化硅的厚度為第二氮化硅的厚度為