[發明專利]半導體封裝裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201810123078.0
• 申請日: 2018-02-07
• 公開（公告）號: CN108417559B
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發明（設計）人: 陳毅;葉昶麟;高仁杰
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768;H01L21/764;H01L23/58;H01Q1/22
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導體封裝裝置，其包括：

第一襯底，其包含第一經劃分襯墊；

第二襯底，其包含安置于所述第一經劃分襯墊上方的第二經劃分襯墊；

第一間隔件，其安置于所述第一經劃分襯墊與所述第二經劃分襯墊之間，其中所述第一間隔件與所述第一經劃分襯墊和所述第二經劃分襯墊接觸；以及

粘合層，其覆蓋所述第一間隔件的側壁并與所述第一經劃分襯墊和所述第二經劃分襯墊接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中所述第一經劃分襯墊的側表面的粗糙度不同于所述第一經劃分襯墊的上表面的粗糙度，所述上表面大體上垂直于所述第一經劃分襯墊的所述側表面。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中所述第一經劃分襯墊的側表面與所述第一襯底的側表面大體上共面，且所述第二經劃分襯墊的側表面與所述第二襯底的側表面大體上共面。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其進一步包括安置于所述第一經劃分襯墊與所述第二經劃分襯墊之間的第二間隔件，其中所述第二間隔件的寬度小于所述第一間隔件的寬度。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝裝置，其中所述第二間隔件的經劃分表面與所述第一經劃分襯墊的側表面或所述第二經劃分襯墊的側表面大體上共面。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中所述粘合層包含焊料或銅漿料中的至少一個。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中所述第一間隔件包含銅芯凸塊或聚合物凸塊。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中所述第一經劃分襯墊與所述第二經劃分襯墊之間的距離大體上等于所述第一間隔件的高度。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中所述第一間隔件的熔點高于用于所述第一間隔件的回焊工藝的溫度。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其進一步包括

第一天線，其安置于所述襯底上；以及

第二天線，其安置于所述第二襯底上并面朝所述第一天線。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其進一步包括：

第一絕緣層，其安置于所述第一經劃分襯墊上，所述第一絕緣層暴露所述第一經劃分襯墊的部分；以及

第二絕緣層，其安置于所述第二經劃分襯墊上，所述第二絕緣層暴露所述第二經劃分襯墊的部分，

其中所述第一經劃分襯墊的所述暴露部分對應于所述第二經劃分襯墊的所述暴露部分。

12.一種半導體封裝裝置，其包括：

第一襯底，其包含第一襯墊，其中所述第一襯底包含第一凹部和第二凹部；

第二襯底，其包含面朝所述第一襯墊的第二襯墊；

至少兩個間隔件，其安置于所述第一襯墊與所述第二襯墊之間，且所述至少兩個間隔件的至少其中一者安置于所述第一凹部內；以及

粘合層，其安置于所述第一襯底與所述第二襯底之間，且所述粘合層安置于所述第二凹部內。

13.根據權利要求12所述的半導體封裝裝置，其中所述第一襯底進一步包括第一絕緣層，其暴露所述第一襯墊的部分且界定所述第一凹部與所述第二凹部，所述至少兩個間隔件的所述至少其中一者接觸所述第一襯墊。

14.根據權利要求13所述的半導體封裝裝置，其中所述第二襯底進一步包括第二絕緣層，其暴露所述第二襯墊的部分且界定第三凹部，所述至少兩個間隔件的所述至少其中一者安置于所述第三凹部內且接觸所述第二襯墊。

15.根據權利要求12所述的半導體封裝裝置，其中所述第一襯底包含比所述第一襯墊寬的第三襯墊，且所述第二襯底包含比所述第二襯墊寬的第四襯墊。