[發明專利]發光裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201810122148.0
• 申請日: 2018-02-07
• 公開（公告）號: CN108376730A
• 公開（公告）日: 2018-08-07
• 發明（設計）人: 陳辰;宋杰;崔周源
• 申請（專利權）人: 賽富樂斯股份有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/16;H01L33/32;H01L33/00;B82Y30/00
• 代理公司: 北京金訊知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11554
• 代理人: 黃劍飛

1.一種發光裝置，其特征在于，所述發光裝置包括：

氮化鎵襯底，包括沿半極性晶相生長的半極性氮化鎵晶體；

第一反射結構，在氮化鎵襯底上；

發光結構，在第一反射結構上；

第二反射結構，在發光結構上。

2.如權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，氮化鎵襯底包括沿半極性晶相(2021)生長的半極性氮化鎵晶。

3.如權利要求2所述的發光裝置，其特征在于，氮化鎵襯底的層錯的數量為0。

4.如權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，第一反射結構包括第一分布布拉格反射結構。

5.如權利要求4所述的發光裝置，其特征在于，第一分布布拉格反射結構包括具有第一折射率的多個第一介質層和具有與第一折射率不同的第二折射率的多個第二介質層，

其中，第一介質層在氮化鎵襯底上或在第二介質層上，第二介質層在第一介質層上。

6.如權利要求5所述的發光裝置，其特征在于，第一介質層為n⁺⁺型GaN層，第二介質層為n型GaN層。

7.如權利要求5所述的發光裝置，其特征在于，第一介質層包括納米孔。

8.如權利要求7所述的發光裝置，其特征在于，第一介質層包括的納米孔的密度為10％至80％，或者納米孔的孔徑為5～100nm，或者納米孔的孔徑為10至20nm。

9.如權利要求8所述的發光裝置，其特征在于，第一介質層的第一折射率為0至2.5nm，或者第一介質層的第一折射率為1.5～2。

10.如權利要求7所述的發光裝置，其特征在于，通過電化學蝕刻來形成第一介質層中的納米孔。

11.如權利要求10所述的發光裝置，其特征在于，所述發光裝置還包括在氮化鎵襯底和第一反射結構之間的導電層和隔離層，其中，

導電層在氮化鎵襯底上，以在用于形成第一介質層中的納米孔的電化學蝕刻中被用作傳輸電子的介質；

隔離層在導電層上并位于導電層和第一反射結構之間，以在用于形成第一介質層中的納米孔的電化學蝕刻中將導電層與電化學蝕刻所采用的溶劑隔離開。

12.如權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，發光結構包括：

有源層，在第一反射結構上；

電子阻擋層，在有源層上；

隧道結層，在電子阻擋層上。

13.如權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，第二反射結構包括第二分布布拉格反射結構。

14.如權利要求13所述的發光裝置，其特征在于，第二分布布拉格反射結構包括具有第三折射率的多個第三介質層和具有與第三折射率不同的第四折射率的多個第四介質層，

其中，第三介質層在發光結構上或在第四介質層上，第四介質層在第三介質層上。

15.如權利要求14所述的發光裝置，其特征在于，第三介質層為SiO₂層，第四介質層為Ti₂O₅層。

16.一種發光裝置的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在包括沿半極性晶相生長的半極性氮化鎵晶體的氮化鎵襯底上形成第一反射結構；

在第一反射結構上形成發光結構；

在發光結構上形成第二反射結構。

17.如權利要求16所述的方法，其特征在于，氮化鎵襯底包括沿半極性晶相(2021)生長的半極性氮化鎵晶體。