[發明專利]化學氣相沉積機臺之板狀構件的平坦度處理方法

在審

• 申請號: 201810121301.8
• 申請日: 2018-02-07
• 公開（公告）號: CN110116149A
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 金東熙;樸淵玨;洪啟方;崔勝龍
• 申請（專利權）人: 世界中心科技股份有限公司
• 主分類號: B21D1/10
• 分類號: B21D1/10;B29C53/18;C23C16/00
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

本揭示提供一種化學氣相沉積機臺之板狀構件的平坦度處理方法，其包含：(a)繪制對應于一CVD板狀構件的一座標系，該座標系上包含若干個座標點；(b)量測每個座標點的平坦度；(c)判斷各個座標點的平坦度是否符合一預定平坦度；以及(d)若該各個座標點的平坦度不符合該預定平坦度，則在常溫下以一壓頭向需要進行平坦度調整的座標點施予壓力，并回到步驟(b)和(c)。本揭示能夠減少CVD板狀構件的平坦度調整時間。

技術領域

本發明涉及一種化學氣相沉積機臺之部件的處理方法，特別有關一種化學氣相沉積機臺之板狀構件的平坦度處理方法。

背景技術

化學氣相沉積（chemical vapor deposition，CVD）機臺是光電半導體制程中常用的機臺，廣泛應用于顯示面板的制造上。CVD機臺各個部件在使用一段時間后，容易出現劣化情形。為維持CVD機臺各個部件的使用年限，對CVD部件進行保養、修整是必要的，而如何縮短CVD部件的再生時間，控制時間成本是本領域重要的課題。此外，對于CVD新品部件，如何縮短其制造時間，也是本領域關注的問題。

請參閱圖1，其顯示現有的CVD機臺1的結構示意圖。在CVD機臺1中，擴散板（diffuser）12作為上電極，加熱器（susceptor）14作為下電極。背板（backing plate）16固定在腔壁上，并為擴散板12的安裝提供支撐。進行化學氣相沉積時，氣體由入口11導入，在擴散板12與背板16間的間隙擴散，自擴散板12上的若干孔洞進入腔體。擴散板12與加熱器14間的電壓差使得帶電氣體分子向加熱器14移動，因在玻璃基板10上沉積以利于制造顯示元件，而多余的氣體則從出口19排出。

CVD機臺1中的板狀構件（例如擴散板12、加熱器14及背板16）往往因各種因素影響而產生形變，使得平坦度無法滿足原始要求。因此，業界需定期或不定期地對CVD板狀構件的平坦度進行修整。對于CVD板狀構件，不管是新品還是再生品，其平坦度的處理流程一般是，將板狀構件置于烤爐（oven）中的平臺上，并按照想要的成形形狀，在板狀構件上施予一定的配重，在烤爐中進行升溫降溫，使其形狀慢慢達到預定的形狀。

然而，為避免CVD板狀構件在日后使用上產生回彈現象，烤爐中進行的升溫降溫程序需要緩慢進行，此程序通常需耗時2～3天。而且，在烤爐中塑形后，若CVD板狀構件的平坦度或構形沒有達到預定的要求，則需重新置入烤爐中，重新塑形。這種CVD板狀構件之平坦度的處理方式，不僅耗費相當多的時間成本，塑形成效也是相當不穩定的。

發明內容

本揭示提供一種化學氣相沉積機臺之板狀構件的平坦度處理方法，以減少板狀構件之平坦度處理的時間成本。

為達成上述目的，本揭示提供一種化學氣相沉積機臺之板狀構件的平坦度處理方法，包含：(a) 繪制對應于一CVD板狀構件的一座標系，該座標系上包含若干個座標點；(b)量測每個座標點的平坦度；(c) 判斷各個座標點的平坦度是否符合一預定平坦度；以及(d)若該各個座標點的平坦度不符合該預定平坦度，則在常溫下以一壓頭向需要進行平坦度調整的座標點施予壓力，并回到步驟(b)和(c)。

在本揭示之CVD機臺之板狀構件的平坦度處理方法中，在常溫下利用壓頭進行板狀構件的平坦度處理，相較于現有技術采用加溫配重的方式，本揭示可縮短CVD部件的再生時間，節省時間成本，也減少了CVD新品部件的制造時間，且能夠有效解決塑形成效不穩定的技術問題。

為讓本揭示的上述內容能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。

附圖說明

圖1顯示現有的CVD機臺的結構示意圖。

圖2顯示根據本揭示的一種CVD機臺之板狀構件的平坦度處理方法的流程圖。

圖3顯示根據本揭示的擴散板的示意圖。

圖4顯示根據本揭示的壓頭擠壓板狀構件的示意圖。