[發明專利]一種6LiF靶膜的制備工藝

有效

• 申請號: 201810120468.2
• 申請日: 2018-02-07
• 公開（公告）號: CN108342698B
• 公開（公告）日: 2019-10-15
• 發明（設計）人: 樊啟文;杜英輝;王華;胡躍明;孟波;張榕
• 申請（專利權）人: 中國原子能科學研究院
• 主分類號: C23C14/30
• 分類號: C23C14/30;C23C14/06;C01D15/04
• 代理公司: 暫無信息
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1.一種⁶LiF靶膜的制備工藝，其特征在于，該工藝包括以下步驟：

1)底襯的預處理

該預處理包括兩個步驟：

(a)先后用酒精、丙酮對底襯進行去油清洗；

(b)將步驟(a)得到的底襯放入真空中進行輝光放電清洗以進一步除去底襯上吸附或沾染的雜質；

所述底襯為鋁片、不銹鋼片或鈦片；

2)原材料預處理

將粉末狀的⁶LiF原材料，制備成團聚狀；然后將團聚狀的⁶LiF以電子轟擊的方式除氣2～4h；

該電子轟擊所用設備包括真空室、石墨坩堝、不銹鋼屏蔽筒、第一鎢絲、第二鎢絲及電源，其中石墨坩堝、不銹鋼屏蔽筒、第一鎢絲、第二鎢絲均位于真空室內部；所述第一鎢絲盤為圓形，位于石墨坩堝上方，該圓形直徑小于不銹鋼屏蔽筒的直徑且該第一鎢絲高度與不銹鋼屏蔽筒上端平齊；所述電源為集成電源，包括交流極和高壓極，可分別提供交流電和高壓直流電，第一鎢絲與電源的交流極連接；該電源高壓極的電壓、電流和功率參數都可以從0開始連續可調；

所述石墨坩堝從不銹鋼屏蔽筒底部伸入至不銹鋼屏蔽筒內，該石墨坩堝用于放置⁶LiF，其下方設置有一個絕緣體，該絕緣體和石墨坩堝之間設有能夠提供高壓且能調節石墨坩堝高度的第二鎢絲，該第二鎢絲的直徑為0.9～1.2mm，其一端與石墨坩堝的底部連接、另一端穿過絕緣體與電源的高壓極連接；

團聚狀的⁶LiF除氣操作只需打開電源交流極開關，電流設置為5～8A，時間為2～4h即可使得真空穩定，真空穩定后除氣結束；

3)電子轟擊制備⁶LiF靶膜

將除氣后的⁶LiF繼續在步驟2)所述的電子轟擊設備中以電子轟擊的方式沉積在底襯上，該步驟中電子轟擊的時間取決于所需⁶LiF靶膜的厚度；

其中交流極的參數為電壓固定為12V，電流為8～10A；高壓極的參數為電壓從0開始起調，每10min升高25V，根據石墨坩堝尺寸和⁶LiF的量調節電壓至最高值，該最高值以不使得⁶LiF熔化為液態為限。

2.根據權利要求1所述的一種⁶LiF靶膜的制備工藝，其特征在于，步驟1)中所述的輝光放電清洗的操作參數包括，清洗時間為3～5min，真空度為1～10Pa，電壓為400～500V。

3.根據權利要求1所述的一種⁶LiF靶膜的制備工藝，其特征在于，步驟2)中所述絕緣體為圓盤狀氮化硼。

4.根據權利要求1所述的一種⁶LiF靶膜的制備工藝，其特征在于，步驟2)中所述真空室的真空度高于10^-3Pa。

5.根據權利要求1所述的一種⁶LiF靶膜的制備工藝，其特征在于，步驟(2)中所述團聚狀的⁶LiF是通過模壓法制備的。

6.根據權利要求1所述的一種⁶LiF靶膜的制備工藝，其特征在于，步驟(2)中所述團聚狀的⁶LiF為圓柱體形狀且圓柱體尺寸為：直徑6～9mm，厚度為5-8mm。

7.根據權利要求1所述的一種⁶LiF靶膜的制備工藝，其特征在于，所述底襯與石英晶體膜厚監測儀連接。

8.根據權利要求1所述的一種6LiF靶膜的制備工藝，其特征在于，所述底襯距離石墨坩堝內⁶LiF材料上端的距離為10～15cm。