[發明專利]一種含有雙層銀膜層的低輻射的織物

在審

• 申請號: 201810120200.9
• 申請日: 2018-02-05
• 公開（公告）號: CN108193484A
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發明（設計）人: 王銀川;余榮沾;張欣;劉瓊溪;尹華平;梁媛
• 申請（專利權）人: 北京納米生色科技有限公司
• 主分類號: D06M11/77
• 分類號: D06M11/77;D06M11/44;D06M11/83;D06M11/46;D06M11/49;D06M11/48;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/18;D06M101/32
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1.一種含有雙層銀膜層的低輻射的織物，其特征在于：所述織物的一個表面沉積有復合膜層，所述的復合膜層由第一電介質層、第一氧化物層、第一銀層、第一阻擋層、第二電介質層、第二氧化物層、第二銀層、第二阻擋層、第三電介質層組成，并由各層從織物表面向外依次堆疊而成。

2.根據權利要求1所述的含有雙層銀膜層的低輻射的織物，其特征在于，所述的復合膜層是由磁控濺射方式沉積而成。

3.根據權利要求1所述的含有雙層銀膜層的低輻射的織物，其特征在于，所述的第一電介質層為金屬氧化物或金屬氮化物，包括TiO₂、ZrO、Si₃N₄，厚度為1～50nm。

4.根據權利要求1所述的含有雙層銀膜層的低輻射的織物，其特征在于，所述的第一氧化物層為ZnO或AZO，厚度為1～30nm。

5.根據權利要求1所述的含有雙層銀膜層的低輻射的織物，其特征在于，所述的第一銀層的厚度為1～20nm。

6.根據權利要求1所述的含有雙層銀膜層的低輻射的織物，其特征在于，所述的第一阻擋層的材料是還原性強于銀的金屬或部分氧化的金屬，包括Ti、NiCr、NiCrOx，其厚度為0.5～10nm。

7.根據權利要求1所述的含有雙層銀膜層的低輻射的織物，其特征在于，所述的第二電介質層為金屬氧化物或金屬氮化物，包括TiO₂、ZrO、Si₃N₄，厚度為1～50nm。

8.根據權利要求1所述的含有雙層銀膜層的低輻射的織物，其特征在于，所述的第二氧化物層為ZnO或AZO，厚度為1～30nm。

9.根據權利要求1所述的含有雙層銀膜層的低輻射的織物，其特征在于，所述的第二銀層的厚度為1～25nm，比第一銀層厚。

10.根據權利要求1所述的含有雙層銀膜層的低輻射的織物，其特征在于，所述的第二阻擋層是還原性強于銀的金屬或部分氧化的金屬，包括Ti、NiCr、NiCrOx，其厚度為0.5～10nm。

11.根據權利要求1所述的含有雙層銀膜層的低輻射的織物，其特征在于，所述的第三電介質層為金屬氧化物或金屬氮化物，包括TiO₂、ZrO、Si₃N₄，厚度為1～50nm。