[發明專利]聲學設備及其晶圓級封裝方法

在審

• 申請號: 201810119988.1
• 申請日: 2018-02-07
• 公開（公告）號: CN108313974A
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 陳高鵬;劉海玲;陳威
• 申請（專利權）人: 宜確半導體（蘇州）有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81B7/02;B81C3/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 劉劍波

1.一種聲學設備，包括基底和聲學器件，其中：

所述聲學器件與所述基底的第一表面結合，以便在所述聲學器件與所述基底的第一表面之間形成密閉腔室；

所述基底的遠離所述聲學器件的第二表面設有聲學設備的管腳焊盤，所述聲學設備的管腳焊盤與所述聲學器件的管腳焊盤連接。

2.根據權利要求1所述的聲學設備，其中：

所述聲學設備的管腳焊盤通過金屬走線與所述聲學器件的管腳焊盤連接。

3.根據權利要求2所述的聲學設備，其中：

所述金屬走線的材料為金、銀、銅、鐵、鋁、鎳、鈀或錫。

4.根據權利要求2所述的聲學設備，其中：

所述金屬走線沿著設置在所述基底上對應的通孔延伸。

5.根據權利要求1所述的聲學設備，其中：

所述聲學設備的管腳焊盤為鋁凸柱、銅凸柱或錫球。

6.根據權利要求1所述的聲學設備，其中：

所述聲學器件通過膠粘方式與所述基底的第一表面結合。

7.根據權利要求1所述的聲學設備，其中：

所述聲學器件的管腳焊盤位于所述聲學器件的靠近所述基底的表面上。

8.根據權利要求1所述的聲學設備，其中：

所述密閉腔室的高度大于預定門限。

9.根據權利要求1所述的聲學設備，其中：

所述聲學器件包括聲表面波SAW濾波器、體聲波BAW濾波器或薄膜體聲波FBAR濾波器，或者包括聲表面波SAW雙工器、體聲波BAW雙工器或薄膜體聲波FBAR雙工器，或者包括采用SAW、BAW或FBAR技術制造的器件。

10.根據權利要求1-9中任一項所述的聲學設備，還包括基板，其中：

所述基底設置在所述基板上。

11.根據權利要求10所述的聲學設備，還包括設置在所述基板上的與所述聲學器件異質的電子器件，其中：

電子器件的管腳焊盤與所述聲學設備對應的管腳焊盤連接。

12.根據權利要求11所述的聲學設備，其中：

電子器件的管腳焊盤通過重布線層RDL，與所述聲學設備對應的管腳焊盤連接。

13.根據權利要求11所述的聲學設備，其中：

所述電子器件包括基于GaAs HBT工藝、GaAs pHEMT工藝或GaN工藝的射頻功率放大器，基于GaAs pHEMT工藝的低噪聲放大器，基于GaAs pHEMT工藝的開關，基于IPD工藝的濾波器中的至少一個。

14.根據權利要求11所述的聲學設備，其中：

所述電子器件包括射頻功率放大器的驅動級電路、開關電路、電源跟蹤電路、包絡跟蹤電路、直流-直流轉換電路、模數轉換電路、數模轉換電路中的至少一個。

15.一種聲學設備的晶圓級封裝方法，包括：

將聲學器件與基底的第一表面結合，以便在所述聲學器件與所述基底的第一表面之間形成密閉腔室；

將所述聲學設備的管腳焊盤與所述聲學器件的管腳焊盤連接，其中所述聲學設備的管腳焊盤設置在所述基底的遠離所述聲學器件的第二表面。

16.根據權利要求15所述的方法，其中：

通過金屬走線將所述聲學設備的管腳焊盤與所述聲學器件的管腳焊盤連接。

17.根據權利要求16所述的方法，其中：

所述金屬走線沿著設置在所述基底上對應的通孔延伸。