[發明專利]一種摻雜添加劑的鈣鈦礦薄膜及其制備方法和應用

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• 申請號: 201810119782.9
• 申請日: 2018-02-06
• 公開（公告）號: CN108321300A
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 杭州纖納光電科技有限公司
• 主分類號: H01L51/48
• 分類號: H01L51/48;H01L51/46
• 代理公司: 杭州奧創知識產權代理有限公司 33272
• 代理人: 楊文華

1.一種摻雜添加劑的鈣鈦礦薄膜，其特征在于，在所述鈣鈦礦薄膜內摻雜有添加劑，所述添加劑為金屬離子M與鹵素離子G形成的穩定劑，其化合物式為MG，其中，所述金屬離子M包括稀土離子、鋰離子、鈉離子、鉀離子、氫離子、鈣離子、鎂離子、鋇離子、鋁離子中的任意一種離子，或者包括一價銅離子、二價銅離子、一價銀離子、二價鐵離子、三價鐵離子、二價錳離子、四價錳離子、六價錳離子、七價錳離子、鋅離子、一價鎳離子、二價鎳離子、鈷離子、鈦離子、鉻離子、鉿離子、鉭離子、鋯離子、鉬離子、鈮離子中的任意一種離子，或者包括銨根離子、BF₃離子、B₂H₆離子、砷離子、銻離子、缺電子π鍵離子中的任意一種離子，所述鹵素離子G為碘、溴、氯中任意一種離子。

2.如權利要求1所述的摻雜添加劑的鈣鈦礦薄膜，其特征在于，所述添加劑MG通過溶液混合方式、或共蒸方式、或反溶劑方式或疊層方式摻入到鈣鈦礦薄膜內。

3.如權利要求1所述的摻雜添加劑的鈣鈦礦薄膜，其特征在于，所述缺電子π鍵離子包括四氰基乙烯離子、烯酮類化合物離子。

4.一種如權利要求1或2所述的摻雜添加劑的鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S11、制備鈣鈦礦溶液；

步驟S12、在所述鈣鈦礦溶液中添加添加劑MG，70℃加熱攪拌2h，得到鈣鈦礦添加劑混合液；

步驟S13、通過旋涂、刮涂、狹縫式連續涂布或噴涂中任意一種加工方式將該鈣鈦礦添加劑混合液涂覆在沉積有傳輸層的基片上形成一層含有鈣鈦礦添加劑混合液的薄膜層，并對該薄膜層進行退火處理得到摻雜添加劑MG的鈣鈦礦薄膜層；

在步驟S11中，所述鈣鈦礦溶液中混合有含有至少一種二價金屬鹵化物前驅物BX₂的溶液、含有至少一種反應物AX的溶液以及有機溶劑，B為二價金屬陽離子：鉛、錫、鎢、銅、鋅、鎵、鍺、砷、硒、銠、鈀、銀、鎘、銦、銻、鋨、銥、鉑、金、汞、鉈、鉍、釙中的任意一種陽離子，X為碘、溴、氯、砹中的至少任意一種陰離子，A為銫、銣、胺基、脒基或者堿族中的至少任意一種，所述有機溶劑包括主溶劑及溶劑添加劑，所述主溶劑為可溶解金屬鹵化物及其他添加劑酰胺類溶劑、砜類/亞砜類溶劑、酯類溶劑、烴類、鹵代烴類溶劑、醇類溶劑、酮類溶劑、醚類溶劑、芳香烴溶劑中的任意一種，所述溶劑添加劑為酰胺類溶劑、砜類/亞砜類溶劑、酯類溶劑、烴類、鹵代烴類溶劑、醇類溶劑、酮類溶劑、醚類溶劑、芳香烴中的至少任意一種；在所述鈣鈦礦溶液中，前驅物BX₂溶液的濃度為0.5~2mol/L，反應物AX加入量是前驅物BX₂摩爾量的0~100%，溶劑添加劑與前驅物BX₂的摩爾比為0~300%；

在步驟S12中，所述添加劑MG的摻入量是前驅物BX₂摩爾量的0.01~20%。