[發(fā)明專利]一種太赫茲光電導(dǎo)天線陣列及其用途有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810119701.5 | 申請日： | 2018-02-06 |
| 公開（公告）號： | CN108365350B | 公開（公告）日： | 2020-10-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳景源;林琦;徐玉蘭;林中晞;蘇輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所;中國科學(xué)院大學(xué) |
| 主分類號： | H01Q23/00 | 分類號： | H01Q23/00;H01Q21/00;H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 北京知元同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 劉元霞 |
| 地址： | 350002 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 赫茲 電導(dǎo) 天線 陣列 及其 用途 | ||
1.一種太赫茲光電導(dǎo)天線陣列，其特征在于，包括天線單元、扼流圈和平行條紋導(dǎo)線；
所述天線單元為偶極天線；
所述天線單元平行排列，正負(fù)極通過平行條紋導(dǎo)線連接；
所述天線單元的排列方式為M行N列，形成天線陣列，M和N均是正整數(shù)；
每個所述天線單元左右兩邊都有扼流圈；
所述扼流圈的形狀為三角形或矩形或梯形；
一個扼流圈分為上下兩部分，分別接在平行條紋導(dǎo)線上；
所述天線陣列和扼流圈由金屬蒸鍍在半導(dǎo)體襯底上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太赫茲光電導(dǎo)天線陣列，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為低溫砷化鎵、半絕緣砷化鎵、InP的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太赫茲光電導(dǎo)天線陣列，其特征在于，所述金屬為黃金、鈦鉑金、鋁的一種或多種；
所述金屬蒸鍍的厚度為0.3～3微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太赫茲光電導(dǎo)天線陣列，其特征在于，所述金屬蒸鍍的厚度為0.5微米。
5.一種輻射源，其特征在于，包括權(quán)利要求1-4任一項所述太赫茲光電導(dǎo)天線陣列。
6.一種探測器，其特征在于，包含權(quán)利要求1-4任一項所述太赫茲光電導(dǎo)天線陣列。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述太赫茲光電導(dǎo)天線陣列的用途，其特征在于，其作為輻射源或探測器。
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