[發明專利]晶片研磨系統

有效

• 申請號: 201810118109.3
• 申請日: 2018-02-06
• 公開（公告）號: CN109773647B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 金圣教
• 申請（專利權）人: 凱斯科技股份有限公司
• 主分類號: B24B37/005
• 分類號: B24B37/005;B24B37/00
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 姜虎;陳英俊

1.一種晶片研磨系統，形成有透光性材質的研磨層，其特征在于，包括：

研磨頭，具備包括第一壓力腔和第二壓力腔的多個壓力腔，通過調節所述壓力腔的壓力，在研磨工序中將位于下側的所述晶片加壓于研磨墊；

光照射部，用于向所述晶片的研磨層照射光；

光接收部，用于接收從所述研磨層反射的光干涉信號，且接收從所述第一壓力腔下側的第一基準位置反射的第一光干涉信號、從所述第二壓力腔下側的第二基準位置反射的第二光干涉信號、從所述第一基準位置與所述第二基準位置之間的一個以上的連接位置反射的連接光干涉信號；

壓力調節部，在所述研磨工序中消除第一基準位置和第二基準位置的所述研磨層的厚度偏差時，不是根據在所述研磨工序中從所述光接收部接收的所述光干涉信號求出所述研磨層厚度，而是調節所述第一壓力腔和所述第二壓力腔的壓力，以便減小所述光接收部從所述第一基準位置和所述第二基準位置接收的第一光干涉信號與所述第二光干涉信號的相位差。

2.根據權利要求1所述的晶片研磨系統，其特征在于，

所述連接位置為一個；

通過合算所述第一光干涉信號與所述連接光干涉信號的第一相位差、所述連接光干涉信號與所述第二光干涉信號的第二相位差的相位差，獲得所述第一光干涉信號與所述第二光干涉信號的相位差。

3.根據權利要求1所述的晶片研磨系統，其特征在于，

所述連接位置為兩個以上，包括位于所述第一基準位置與所述第二基準位置之間的與所述第一基準位置最近的第一連接位置以及與所述第二基準位置最近的第二連接位置；

所述連接光干涉信號為多個，包括在所述第一連接位置獲得的第一連接光干涉信號以及在所述第二連接位置獲得的第二連接光干涉信號。

4.根據權利要求3所述的晶片研磨系統，其特征在于，

通過合算所述第一光干涉信號與所述第一連接光干涉信號的第一相位差、所述第二連接光干涉信號與所述第二光干涉信號的第二相位差、所述第一連接光干涉信號與所述第二連接光干涉信號的連接相位差的相位差，獲得所述第一光干涉信號與所述第二光干涉信號的相位差。

5.根據權利要求4所述的晶片研磨系統，其特征在于，

所述連接位置為三個以上，

通過合算在鄰接的多個連接位置獲得的多個連接光干涉信號間的相位差的值，獲得所述連接相位差。

6.根據權利要求1所述的晶片研磨系統，其特征在于，

所述研磨層為氧化物層。

7.根據權利要求1所述的晶片研磨系統，其特征在于，

所述接收光的步驟是在所有所述壓力腔的下側，分別接收至少一個位置上的光干涉信號。

8.根據權利要求1所述的晶片研磨系統，其特征在于，

所述第一壓力腔與所述第二壓力腔隔著隔壁鄰接配置。

9.根據權利要求1所述的晶片研磨系統，其特征在于，

所述研磨頭以同心圓狀配置有多個壓力腔。

10.根據權利要求9所述的晶片研磨系統，其特征在于，

所述連接位置位于從所述晶片的旋轉中心隔開規定距離處，所述規定距離處于從所述晶片的旋轉中心至所述第一基準位置的第一距離和從所述晶片的旋轉中心至所述第二基準位置的第二距離之間。

11.根據權利要求9所述的晶片研磨系統，其特征在于，

所述連接位置位于連接所述第一基準位置與所述第二基準位置的連接直線上。

12.根據權利要求10所述的晶片研磨系統，其特征在于，

所述第一基準位置位于所述第一壓力腔的中央部，所述第二基準位置位于所述第二壓力腔的中央部，所述連接位置位于從設置于所述第一壓力腔與所述第二壓力腔之間的隔壁起隔開10mm以內的區域。