[發(fā)明專利]一種新型弧形VCSEL發(fā)光陣列、制作方法、控制系統(tǒng)和控制方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810118042.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-02-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108493766A | 公開(公告)日: | 2018-09-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉曉萌;楊濤;王彥丁 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院 |
| 主分類號(hào): | H01S5/183 | 分類號(hào): | H01S5/183 |
| 代理公司: | 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212 | 代理人: | 楊立;吳佳 |
| 地址: | 100013 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光陣列 新型弧形 邏輯控制電路 發(fā)光 發(fā)光單元 控制系統(tǒng) 水平面垂直 微透鏡陣列 單元表面 獨(dú)立可控 發(fā)光指令 發(fā)射單元 曲面弧形 使用效率 微反射鏡 逐點(diǎn)掃描 電極層 發(fā)射角 激光束 基底 預(yù)設(shè) 反射 制作 加工 | ||
1.一種新型弧形VCSEL發(fā)光陣列的制作方法,其特征在于,該制作方法包括:
采用激光束對(duì)曲面弧形基底上的所述VCSEL陣列單元表面上的電極層進(jìn)行逐點(diǎn)掃描加工,得到新型弧形VCSEL發(fā)光陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型弧形VCSEL發(fā)光陣列的制作方法,其特征在于,所述采用激光束對(duì)曲面弧形基底上的所述VCSEL陣列單元表面上的電極層進(jìn)行逐點(diǎn)掃描加工包括:
采用fs脈寬的激光光源發(fā)射的所述激光束依次經(jīng)過聚焦透鏡和激光掃描振鏡后射在所述VCSEL陣列單元表面上,并對(duì)所述VCSEL陣列單元表面上的電極層進(jìn)行逐點(diǎn)掃描,燒蝕掉所述VCSEL陣列單元表面上不用的電極層,得到所述新型弧形VCSEL發(fā)光陣列。
3.一種新型弧形VCSEL發(fā)光陣列,其特征在于,所述新型弧形VCSEL發(fā)光陣列采用如權(quán)利要求1或2所述的制作方法得到的。
4.一種基于新型弧形VCSEL發(fā)光陣列的控制系統(tǒng),其特征在于,該控制系統(tǒng)包括:如權(quán)利要求3所述的新型弧形VCSEL發(fā)光陣列、微透鏡陣列、邏輯控制電路;
在所述新型弧形VCSEL發(fā)光陣列的邊沿上設(shè)置所述微透鏡陣列,且由所述微透鏡陣列排布成的弧面基準(zhǔn)面與所述新型弧形VCSEL發(fā)光陣列的基底弧面同心;
所述新型弧形VCSEL發(fā)光陣列中的每個(gè)發(fā)光單元的電極分別與所述邏輯控制電路連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的控制系統(tǒng),其特征在于,所述微透鏡陣列包括:多個(gè)微透鏡。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的控制系統(tǒng),其特征在于,每個(gè)微反射鏡分別與所述新型弧形VCSEL發(fā)光陣列中的每個(gè)發(fā)光單元一一對(duì)應(yīng),其中通過設(shè)置每個(gè)微反射鏡不同的反射角度,每個(gè)發(fā)射單元發(fā)出的光與水平面垂直方向上呈預(yù)設(shè)角度的發(fā)射角。
7.根據(jù)權(quán)利要求4-6任一所述的控制系統(tǒng),其特征在于,所述新型VCSEL發(fā)光陣列與所述反射鏡陣列連接包括:
所述新型弧形VCSEL發(fā)光陣列通過粘接玻璃與所述微透鏡陣列連接。
8.一種基于新型弧形VCSEL發(fā)光陣列的控制方法,其特征在于,該控制方法包括:
邏輯控制電路根據(jù)接收到的發(fā)光指令控制新型VCSEL發(fā)光陣列中發(fā)光單元的發(fā)光順序;
根據(jù)所述發(fā)光順序,分別設(shè)置每個(gè)微反射鏡不同的反射角度,以使所述新型弧形VCSEL發(fā)光陣列中每個(gè)發(fā)射單元發(fā)出的光與水平面垂直的方向上呈預(yù)設(shè)角度的發(fā)射角。
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