[發(fā)明專利]一種對(duì)過渡金屬硫族化物進(jìn)行光學(xué)簡(jiǎn)并摻雜的方法及其應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810117999.6
• 申請(qǐng)日: 2018-02-06
• 公開（公告）號(hào): CN110120440B
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉晶;張榮杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/032;H01L31/113
• 代理公司: 天津創(chuàng)智天誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 12214
• 代理人: 王秀奎

1.一種對(duì)過渡金屬硫化物進(jìn)行光學(xué)簡(jiǎn)并摻雜的方法制備得到的電器件，其特征在于，通過以下步驟制備：

步驟1，將納米厚度的過渡金屬硫化物薄片轉(zhuǎn)移到基底上；

步驟2，在步驟1所得器件上沉積金納米層；

步驟3，將步驟2得到的器件進(jìn)行退火處理，自室溫20℃~25℃起始以5~15℃/min的速度進(jìn)行升溫至300℃~400℃，保溫20~40分鐘后，自然冷卻至室溫；

所述電器件具有金-過渡金屬氧化物-過渡金屬硫化物形成的MIS結(jié)構(gòu)，所述步驟1中的過渡金屬硫化物為MoS₂、ReS₂或MoSe₂。

2.如權(quán)利要求1所述的電器件，其特征在于，所述步驟1中過渡金屬硫化物的厚度為10-50nm。

3.如權(quán)利要求1所述的電器件，其特征在于，所述步驟2中金納米層的厚度為3-10nm。

4.如權(quán)利要求1所述的電器件，其特征在于，所述步驟1中的過渡金屬硫化物薄片通過干法轉(zhuǎn)移方式復(fù)合在基底上。

5.如權(quán)利要求1所述的電器件，其特征在于，所述步驟1中的基底為重?fù)诫s硅或二氧化硅基底。

6.如權(quán)利要求1所述的電器件，其特征在于，所述步驟2中的金納米層是通過電子束蒸發(fā)方式沉積在步驟1所得器件上的， 具體步驟為，在金屬蒸發(fā)儀器中利用電子束轟擊99.999%純度的金使其達(dá)到融化溫度，薄膜沉積速度為在0.1~0.3 。

7.如權(quán)利要求1所述的電器件在紫外光探測(cè)上的應(yīng)用，其特征在于，所述電器件進(jìn)行紫外光照之后，電流轉(zhuǎn)移特性曲線較其未經(jīng)紫外光照時(shí)的基態(tài)表現(xiàn)出更強(qiáng)的N型摻雜特點(diǎn)，其關(guān)斷電流較基態(tài)光斷電流上升了兩個(gè)~四個(gè)數(shù)量級(jí)，所述電器件進(jìn)行紫外光照之后，其柵極調(diào)制開關(guān)比為基態(tài)的2~10倍，面電子濃度達(dá)到了10¹³~10¹⁴每平方厘米。