[發(fā)明專利]轉(zhuǎn)置裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810117400.9
• 申請(qǐng)日: 2018-02-06
• 公開（公告）號(hào): CN108389825A
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝文俊;廖正民;曾文澤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中華映管股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/683
• 分類號(hào): H01L21/683
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 吳志紅;臧建明

本發(fā)明提供一種用以轉(zhuǎn)置多個(gè)微型發(fā)光二極管晶粒的轉(zhuǎn)置裝置。轉(zhuǎn)置裝置包括載板、多個(gè)可形變?cè)岸鄠€(gè)取放元件。多個(gè)可形變?cè)O(shè)置在載板上。多個(gè)取放元件分別設(shè)置在多個(gè)可形變?cè)稀Ｃ恳蝗》旁谶h(yuǎn)離對(duì)應(yīng)的一個(gè)可形變?cè)囊粋?cè)上具有陣列排列的多個(gè)微凸起。可形變?cè)男巫兡軒?dòng)取放元件產(chǎn)生形變，以使接觸微型發(fā)光二極管晶粒的微凸起數(shù)量減少。藉此，轉(zhuǎn)置裝置能容易地釋放已提取的微型發(fā)光二極管晶粒。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及發(fā)光二極管顯示器的制造設(shè)備，尤其涉及微型發(fā)光二極管晶粒的轉(zhuǎn)置裝置。

背景技術(shù)

近年來有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板(OLED)在移動(dòng)通信設(shè)備市場(chǎng)上逐漸取代液晶顯示面板，且緩慢地滲透大尺寸電視的市場(chǎng)。盡管有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的色彩飽和度、反應(yīng)速度與對(duì)比均較目前主流的液晶顯示面板出色，但產(chǎn)品的使用壽命卻無法與現(xiàn)行的主流顯示器相抗衡。

在有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的制造成本偏高的情況下，微型發(fā)光二極管顯示器(Micro LED Display)逐漸吸引各科技大廠的投資目光。微型發(fā)光二極管顯示器具有與有機(jī)發(fā)光二極管顯示技術(shù)相當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)表現(xiàn)，且具有低耗能及材料使用壽命長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì)。然而，已目前的技術(shù)而言，微型發(fā)光二極管顯示器制造成本仍高于有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，主因是微型發(fā)光二極管顯示器的制造技術(shù)采用晶粒轉(zhuǎn)置的方式將制作好的微型發(fā)光二極管晶粒直接轉(zhuǎn)移到驅(qū)動(dòng)電路背板上，雖然這樣的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)在大尺寸的產(chǎn)品制造上有其發(fā)展優(yōu)勢(shì)，但目前相關(guān)制造技術(shù)與設(shè)備都有瓶頸待突破。

目前的晶粒轉(zhuǎn)置技術(shù)所使用的提取方式包括利用靜電力(Electrostaticforce)、電磁力(Electromagnetic force)、凡德瓦力(Van Der Waals force)、粘性材料及自組裝(Self-Assembly)等方式。靜電力的方式需要使用較高的外加電壓，因此電弧(Arcing)與介電擊穿(Dielectric Breakdown)的風(fēng)險(xiǎn)較高。自組裝的轉(zhuǎn)置技術(shù)雖然在快速晶粒轉(zhuǎn)置上具有發(fā)展?jié)摿Γ枰獙?duì)流體蒸發(fā)速率具有較高的精密控制技術(shù)，且在大面積制造上更有其困置難度，易造成晶粒轉(zhuǎn)置失敗。使用凡德瓦力的方式吸取晶粒，其晶粒的黏附力與脫附力取決于彈性體高分子印模接觸晶粒的速率快慢，因此對(duì)于印模的作動(dòng)必須有較精密的控制，轉(zhuǎn)置的成功率并不高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明于提供一種用以轉(zhuǎn)置微型發(fā)光二極管晶粒的轉(zhuǎn)置裝置。利用所述轉(zhuǎn)置裝置，轉(zhuǎn)置微型發(fā)光二極管晶粒的成功率高。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種轉(zhuǎn)置裝置，包括載版、多個(gè)可形變?cè)岸鄠€(gè)取放元件。多個(gè)可形變?cè)O(shè)置在載板上。多個(gè)取放元件分別設(shè)置在所述多個(gè)可形變?cè)稀Ｃ恳蝗》旁谶h(yuǎn)離對(duì)應(yīng)的一個(gè)可形變?cè)囊粋?cè)上具有陣列排列的多個(gè)微凸起。

在根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，所述轉(zhuǎn)置裝置的每一可形變?cè)m于受光、熱或電的影響而形變，形變的可形變?cè)h(yuǎn)離所述載板的方向凸起。

在根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，所述轉(zhuǎn)置裝置的可形變?cè)ǖ谝徊牧蠈右约暗诙牧蠈印５谝徊牧蠈优渲糜谒鲚d板上且具有第一熱膨脹系數(shù)，第二材料層配置于所述第一材料層上且具有第二熱膨脹系數(shù)，且第二熱膨脹系數(shù)大于第一熱膨脹系數(shù)。

在根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，所述轉(zhuǎn)置裝置的可形變?cè)ㄖ辽賰煞N以上具有不同電阻系數(shù)的金屬所組成的合金。

在根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，所述轉(zhuǎn)置裝置的可形變?cè)ㄢ亴蛹暗谝绘噷印ｂ亴优渲糜谳d板上。第一鎳層配置于鈦層上。

在根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，所述轉(zhuǎn)置裝置的可形變?cè)€包括第二鎳層，其中鈦層夾設(shè)于第一鎳層與第二鎳層之間。

在根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，所述的轉(zhuǎn)置裝置的可形變?cè)ǚ肿咏Y(jié)構(gòu)中具有偶氮苯基的高分子。

在根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，所述的轉(zhuǎn)置裝置的多個(gè)微凸起包括彼此隔開的多個(gè)柱狀體。