[發明專利]陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板在審
| 申請號： | 201810115564.8 | 申請日： | 2018-02-05 |
| 公開（公告）號： | CN108287430A | 公開（公告）日： | 2018-07-17 |
| 發明（設計）人： | 邵源 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1335 | 分類號： | G02F1/1335 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 鐘子敏 |
| 地址： | 518006 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 減反層 陣列基板 基板 液晶顯示面板 制備 氮化物 環境光 器件層 氧化物 反射 | ||
1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括基板、形成在所述基板上的至少一層減反層，以及形成在所述減反層上的器件層；其中，所述減反層的材質為銅的氧化物或/和銅的氮化物。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述減反層的厚度為40納米～200納米。
3.根據權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述減反層是通過磁控濺射法，噴墨法以及原子沉積法中的任一種工藝而制備形成的。
4.根據權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述減反層為依次疊置的銅的氮化物層或/和銅的氧化物層組成的多膜層結構。
5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述銅的氮化物層或/和銅的氧化物層依次交替設置。
6.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述多膜層結構的減反層的單層厚度為20納米～100納米。
7.一種液晶顯示面板，其特征在于，所述液晶顯示面板包括如權利要求1～6任一項所述的陣列基板。
8.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
準備基板；
在所述基板上形成至少一層減反層；其中，所述減反層的材質為銅的氧化物或/和銅的氮化物；
在所述減反層上形成器件層。
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述在所述基板上形成至少一層減反層的步驟具體包括：
通過磁控濺射法，噴墨法以及原子沉積法中的至少一種工藝將所述銅的氮化物或/和所述銅的氧化物沉積在所述基板上，形成所述至少一層減反層。
10.根據權利要求8或9所述的制備方法，其特征在于，所述在所述基板上形成至少一層減反層的步驟具體包括：
在所述基板上多次沉積銅的氮化物或銅的氧化物，形成銅的氮化物層或/和銅的氧化物層組成的多膜層結構的減反層。
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