[發明專利]基于激光選區熔化制備鋁基復合材料的制備方法在審
| 申請號： | 201810114281.1 | 申請日： | 2018-02-05 |
| 公開（公告）號： | CN108330347A | 公開（公告）日： | 2018-07-27 |
| 發明（設計）人： | 廉清;吳一;陳哲;章敏立;張暘;李險峰;王浩偉 | 申請（專利權）人： | 上海交通大學 |
| 主分類號： | C22C21/02 | 分類號： | C22C21/02;C22C21/00;C22C32/00;C22C1/10;B22F9/08;B22F3/105 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人： | 莊文莉 |
| 地址： | 200240 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 復合材料 選區熔化 原位自生 復合材料粉末 激光 時效處理 制備鋁基 航空航天領域 混合鹽反應 真空氣霧化 顆粒增強 力學性能 應用潛力 晶粒 細化 | ||
1.一種基于激光選區熔化制備鋁基復合材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1、以KBF4、K2TiF6為原料，利用混合鹽反應法制備得到原位自生TiB2/AlSi10Mg復合材料，將所述原位自生TiB2/AlSi10Mg復合材料通過真空氣霧化制得復合材料粉末；
S2、將所述復合材料粉末采用激光選區熔化制備得到SLM樣品；
S3、對所述SLM樣品進行單時效處理。
2.根據權利要求1所述的基于激光選區熔化制備鋁基復合材料的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述原位自生TiB2/AlSi10Mg復合材料中TiB2納米顆粒的含量為0.5-10％。
3.根據權利要求2所述的基于激光選區熔化制備鋁基復合材料的制備方法，其特征在于，所述原位自生TiB2/AlSi10Mg復合材料中TiB2納米顆粒的含量為6％。
4.根據權利要求1所述的基于激光選區熔化制備鋁基復合材料的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述原位自生TiB2/AlSi10Mg復合材料中TiB2納米顆粒的粒徑為7～1500nm。
5.根據權利要求1所述的基于激光選區熔化制備鋁基復合材料的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述復合材料粉末的粒徑為15～53μm。
6.根據權利要求1所述的基于激光選區熔化制備鋁基復合材料的制備方法，其特征在于，步驟S2中，所述激光選區熔化采用的激光功率為150～300W，掃描速度為700～1000mm/s，層厚為30μm。
7.根據權利要求1所述的基于激光選區熔化制備鋁基復合材料的制備方法，其特征在于，步驟S2中，所述激光選區熔化采用在第1～5層手動掃描2～3次的方式。
8.根據權利要求1所述的基于激光選區熔化制備鋁基復合材料的制備方法，其特征在于，步驟S3中，所述單時效處理的溫度為120～180℃，時間為6～24h。
9.一種根據權利要求1所述的基于激光選區熔化制備鋁基復合材料的制備方法制得的鋁基復合材料。
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