[發明專利]砷化鎵納米柱陣列太赫茲波發射裝置及制造方法有效
| 申請號： | 201810114098.1 | 申請日： | 2018-02-05 |
| 公開（公告）號： | CN108417976B | 公開（公告）日： | 2020-05-26 |
| 發明（設計）人： | 谷建強;王可蒙;余晴;歐陽春梅;田震;韓家廣;張偉力 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | H01Q1/38 | 分類號： | H01Q1/38;H01Q15/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人： | 劉國威 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 砷化鎵 納米 陣列 赫茲 發射 裝置 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種砷化鎵納米柱陣列太赫茲波發射裝置，其特征是，由納米結構層、光電導天線和硅透鏡構成，納米結構層由固定間隔周期性排列的柱狀單元結構組成，納米結構層布設在光電導天線襯底層正面的兩根平行金屬電極中間，所述柱狀單元的一端與襯底層相連；硅透鏡貼在光電導天線襯底層背面，所述納米結構層為光敏半導體。
2.如權利要求1所述的砷化鎵納米柱陣列太赫茲波發射裝置，其特征是，一種厚度均勻的本征GaAs層，納米結構層的材料也是本征GaAs。
3.如權利要求1所述的砷化鎵納米柱陣列太赫茲波發射裝置，其特征是，工作波長為800納米時，柱狀單元的排列周期為350納米，高度為150納米，邊長為164納米，襯底層厚度為650微米。
4.如權利要求1所述的砷化鎵納米柱陣列太赫茲波發射裝置，其特征是，光電導天線兩電極之間的電流密度滿足：
J(t)＝N(t)eμEb，
其中N(t)是時變的光生自由電子的密度，e是電子電荷，μ是電子的遷移率，Eb則是偏置電場的場強，t為時間；
這一電流脈沖在遠場的太赫茲輻射場強：
其中A是光生載流子照射的面積，ε0是真空介電常數，c是真空光速，z是場點距太赫茲波發射源的距離。
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