[發明專利]一種基底吸附裝置、光刻設備及吸附方法

在審

• 申請號: 201810113746.1
• 申請日: 2018-02-05
• 公開（公告）號: CN110119069A
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 蔡晨;齊芊楓;王鑫鑫
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備(集團)股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/683
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種基底吸附裝置，其特征在于，包括：

吸附機構，以及與所述吸附機構相對設置的整形機構，所述吸附機構和所述整形機構之間形成基底容納空間；

所述吸附機構包括吸盤，所述吸盤表面上分布有多個吸氣孔，所述吸盤用于從第一側吸附所述基底容納空間內的基底；

所述整形機構用于從與所述第一側相對的第二側對所述基底容納空間內的基底作用，以與所述吸盤配合對所述基底容納空間內的基底進行整平。

2.根據權利要求1所述的基底吸附裝置，其特征在于，所述整形機構包括壓板，所述壓板的工作面包括多個吹氣孔。

3.根據權利要求2所述的基底吸附裝置，其特征在于，所述壓板內還包括氣道，所述氣道的出氣端與所述多個吹氣孔連通。

4.根據權利要求2所述的基底吸附裝置，其特征在于，所述多個吹氣孔在所述壓板的工作面上呈多列排列，且每列吹氣孔的連線均經過所述工作面的中心。

5.根據權利要求4所述的基底吸附裝置，其特征在于，每列吹氣孔中，所述吹氣孔的孔徑相同或者按照預設規律變化。

6.根據權利要求5所述的基底吸附裝置，其特征在于，所述每列吹氣孔中，所述吹氣孔的孔徑隨著距離所述工作面的中心的遠近逐漸增大、隨著距離所述工作面的中心的遠近逐漸變小、隨著距離所述工作面的中心的遠近先增大后變小或者隨著距離所述工作面的中心的遠近先變小后增大。

7.根據權利要求4所述的基底吸附裝置，其特征在于，所述壓板的工作面為圓形，所述每列吹氣孔的連線為經過圓心的一條直徑。

8.根據權利要求2所述的基底吸附裝置，其特征在于，所述整形機構設置在所述吸附機構正上方，所述整形機構還包括：

氣缸，所述氣缸的一端與所述壓板連接，用于推動所述壓板在豎直方向上移動。

9.根據權利要求1所述的基底吸附裝置，其特征在于，所述吸盤內形成有空腔，所述多個吸氣孔均與所述空腔連通。

10.根據權利要求9所述的基底吸附裝置，其特征在于，所述吸附機構還包括吸附底座，所述吸盤設置于所述吸附底座上，所述吸附底座內設有多個支管道和一個總管道，所述多個支管道均與所述吸盤內的空腔連通，所述總管道與所述多個支管道連通。

11.一種光刻設備，其特征在于，包括權利要求1-10任一所述的基底吸附裝置。

12.一種基底吸附裝置的吸附方法，其特征在于，所述基底吸附裝置包括吸附機構，以及與所述吸附機構相對設置的和整形機構，所述方法包括：

吸附機構通過吸盤上的吸氣孔，從基底的第一側吸附基底片；

將整形機構從與所述第一側相對的第二側對所述基底作用，以與所述吸盤配合對所述基底進行整平。

13.根據權利要求12所述的基底吸附裝置的吸附方法，其特征在于，所述整形機構包括壓板，所述壓板的工作面包括多個吹氣孔，所述整形機構與所述吸盤配合對所述基底進行整平，包括：

吸附機構通過吸盤上的吸氣孔，從基底的第一側吸附基底片；

整形機構的壓板通過工作面的吹氣孔從所述第二側向基底吹正壓氣體，將基底整平，并被吸盤完全吸附。

14.根據權利要求13所述的基底吸附裝置的吸附方法，其特征在于，所述多個吹氣孔在所述壓板的工作面上呈多列排列，且每列吹氣孔的連線均經過所述工作面的中心；每列吹氣孔中，所述吹氣孔的孔徑相同或者按照預設規律變化，根據所述基底的翹曲形狀，選擇具有對應的吹氣孔分布的壓板。

15.根據權利要求14所述的基底吸附裝置的吸附方法，其特征在于，

若所述基底外緣翹曲中間平整，則選擇的壓板每列吹氣孔中，吹氣孔的孔徑隨著距離所述工作面的中心的遠近逐漸增大；

若所述基底外緣平整中間翹曲，則選擇的壓板每列吹氣孔中，吹氣孔的孔徑隨著距離所述工作面的中心的遠近逐漸變小；

若所述基底外緣和中間平整，外緣和中間之間的部分翹曲，則選擇的壓板每列吹氣孔中，吹氣孔的孔徑隨著距離所述工作面的中心的遠近先增大后變?。?/p>

若所述基底外緣和中間翹曲，外緣和中間之間的部分平整，則選擇的壓板每列吹氣孔中，吹氣孔的孔徑隨著距離所述工作面的中心的遠近先變小后增大；

若所述基底程不規則翹曲，則選擇的壓板每列吹氣孔中，吹氣孔的孔徑大小相等。