[發明專利]一種分布均勻的超高頻近場天線在審
| 申請號: | 201810113404.X | 申請日: | 2018-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN108493594A | 公開(公告)日: | 2018-09-04 |
| 發明(設計)人: | 湯煒;孫鈴武;余珍珍;楊凱 | 申請(專利權)人: | 廈門致聯科技有限公司 |
| 主分類號: | H01Q1/38 | 分類號: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q19/02;H01Q19/10;H01Q1/22 |
| 代理公司: | 廈門智慧呈睿知識產權代理事務所(普通合伙) 35222 | 代理人: | 郭福利;魏思凡 |
| 地址: | 361000 福建省廈門市湖里*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 近場天線 周期單元 法向 磁場 超高頻 單向輻射 反射片 正方形四角 讀取距離 輻射磁場 矩陣排列 寬度遞減 平行設置 依次排列 矩形部 饋電部 同一列 反射 天線 標簽 遞增 發射 | ||
1.一種分布均勻的超高頻近場天線,其特征在于,包括依次排列且平行設置的第一基片、第二基片和反射片;
第一基片上設有近場天線,所述近場天線包括相互連接矩形部和饋電部,所述矩形部包括第一矩形和第二矩形,所述第一矩形的面積小于所述第二矩形,所述饋電部位于所述第二矩形遠離所述第一矩形的一側,所述第一基片用于發射法向磁場;
第二基片上設有按照矩陣排列的周期單元,所述周期單元形成N行*M列,每一行周期單元平行于所述第一矩形和所述第二矩形的連接線;每一周期單元為正方形,每一周期單元包括分別從所述正方形四角引出的四條導線,四條導線關于所述正方形的中心成中心對稱結構;同一行內,每一周期單元的導線寬度及導線間的間距相等,同一列中,沿所述第一矩形到所述第二矩形的方向上,每一周期單元的導線寬度遞減,導線間的間距遞增;
反射片,用于反射所述法向磁場,使所述法向磁場單向輻射。
2.根據權利要求1所述的超高頻近場天線,其特征在于,每一導線包括順序連接的第一連接部、第二連接部、第三連接部以及第四連接部;每一第一連接部分別設置在所述正方形的四個頂角;每一第二連接部靠近所述正方形的一邊設置,且在延伸方向上與相鄰的第二連接部的間距為P1;每一第三連接部垂直于與其相連的第二連接部,且在延伸方向上與相鄰的第三連接部的間距為P1;每一第四連接部垂直于與其相連的第三連接部,且在延伸方向上與相鄰的第四連接部的間距為P1。
3.根據權利要求2所述的超高頻近場天線,其特征在于,每一周期單元內,所述導線的寬度P2與P1的和均相等。
4.根據權利要求3所述的超高頻近場天線,其特征在于,每一周期單元內P2與P1的和的取值范圍為4mm-5mm。
5.根據權利要求4所述的超高頻近場天線,其特征在于,沿所述第一矩形到所述第二矩形的方向上的第一行的周期單元中,P1的取值范圍為1.9mm-2.1mm,P2的取值范圍為2.15mm-2.35mm。
6.根據權利要求5所述的超高頻近場天線,其特征在于,同一列中,相鄰兩個周期單元P1的差值為0mm-0.9mm。
7.根據權利要求1所述的超高頻近場天線,其特征在于,所述周期單元的邊長L的取值范圍為25mm-26mm。
8.根據權利要求1所述的超高頻近場天線,其特征在于,所述第一基片和所述第二基片的間距為4mm-6mm,所述第二基片和所述反射片的間距為9mm-11mm。
9.根據權利要求8所述的超高頻近場天線,其特征在于,所述第一基片和所述第二基片的厚度為0.6mm-1mm,且所述第一基片和所述第二基片的厚度相同。
10.根據權利要求1所述的超高頻近場天線,其特征在于,所述周期單元形成10行*10列的陣列排布。
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