[發明專利]濺射靶、氧化物半導體薄膜及它們的制造方法

有效

• 申請號: 201810112981.7
• 申請日: 2013-10-16
• 公開（公告）號: CN108085644B
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 江端一晃;但馬望
• 申請（專利權）人: 出光興產株式會社
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/34;H01L21/02;H01L29/786
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種氧化物半導體薄膜，其包含含有銦元素、錫元素、鋅元素及鋁元素的氧化物，其滿足下述式(1)～(4)的原子比：

0.08≤In/(In+Sn+Zn+Al)≤0.50 (1)

0.01≤Sn/(In+Sn+Zn+Al)≤0.30 (2)

0.30≤Zn/(In+Sn+Zn+Al)≤0.90 (3)

0.01≤Al/(In+Sn+Zn+Al)≤0.30(4)

式中，In、Sn、Zn及Al分別表示氧化物半導體薄膜中的銦元素、錫元素、鋅元素及鋁元素的原子比，

所述氧化物半導體薄膜的載流子濃度為10¹⁵/cm³～10¹⁸/cm³，

所述氧化物半導體薄膜為非晶膜。

2.根據權利要求1所述的氧化物半導體薄膜，其中，所述氧化物半導體薄膜的霍爾遷移率為11cm²/Vs～23cm²/Vs的范圍內。

3.根據權利要求1或2所述的氧化物半導體薄膜，其中，所述In/(In+Sn+Zn+Al)滿足0.12≤In/(In+Sn+Zn+Al)≤0.50。

4.根據權利要求1或2所述的氧化物半導體薄膜，其中，所述In/(In+Sn+Zn+Al)滿足0.15≤In/(In+Sn+Zn+Al)≤0.40。

5.根據權利要求1或2所述的氧化物半導體薄膜，其中，所述Sn/(In+Sn+Zn+Al)滿足0.03≤Sn/(In+Sn+Zn+Al)≤0.25。

6.根據權利要求1或2所述的氧化物半導體薄膜，其中，所述Sn/(In+Sn+Zn+Al)滿足0.05≤Sn/(In+Sn+Zn+Al)≤0.15。

7.根據權利要求1或2所述的氧化物半導體薄膜，其中，所述Zn/(In+Sn+Zn+Al)滿足0.40≤Zn/(In+Sn+Zn+Al)≤0.80。

8.根據權利要求1或2所述的氧化物半導體薄膜，其中，所述Zn/(In+Sn+Zn+Al)滿足0.45≤Zn/(In+Sn+Zn+Al)≤0.75。

9.根據權利要求1或2所述的氧化物半導體薄膜，其中，所述Al/(In+Sn+Zn+Al)滿足0.01≤Al/(In+Sn+Zn+Al)≤0.20。

10.根據權利要求1或2所述的氧化物半導體薄膜，其中，所述Al/(In+Sn+Zn+Al)滿足0.01≤Al/(In+Sn+Zn+Al)≤0.15。

11.根據權利要求1所述的氧化物半導體薄膜，其包含含有銦元素、錫元素、鋅元素及鋁元素的氧化物，其滿足下述式表示的原子比：

In/(In+Sn+Zn+Al)＝0.25

Sn/(In+Sn+Zn+Al)＝0.15

Zn/(In+Sn+Zn+Al)＝0.59

Al/(In+Sn+Zn+Al)＝0.01

式中，In、Sn、Zn及Al分別表示濺射靶中的銦元素、錫元素、鋅元素及鋁元素的原子比。

12.根據權利要求1所述的氧化物半導體薄膜，其包含含有銦元素、錫元素、鋅元素及鋁元素的氧化物，其滿足下述式表示的原子比：

In/(In+Sn+Zn+Al)＝0.25

Sn/(In+Sn+Zn+Al)＝0.15

Zn/(In+Sn+Zn+Al)＝0.57

Al/(In+Sn+Zn+Al)＝0.03

式中，In、Sn、Zn及Al分別表示濺射靶中的銦元素、錫元素、鋅元素及鋁元素的原子比。