[發明專利]參考電壓產生器

有效

• 申請號: 201810112237.7
• 申請日: 2018-02-05
• 公開（公告）號: CN109992035B
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 簡惠慶
• 申請（專利權）人: 立積電子股份有限公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 上海市錦天城律師事務所 31273
• 代理人: 劉民選

本發明提供了一種參考電壓產生器，該參考電壓產生器包含一定電壓產生電路、一放大器、一二極管單元及一晶體管。該定電壓產生電路包含一輸出端用以輸出一參考電壓，一第一端具有一第一操作電壓，及一第二端。該放大器包含一輸入端耦接于該定電壓產生電路的該第一端，一輸出端，一第一端耦接于一第一電壓端，及一第二端。該二極管單元包含一第一端耦接于該放大器的該第二端，及一第二端耦接于該定電壓產生電路的該第二端及一第二電壓端。該晶體管包含一第一端耦接于該放大器的該第一端，一第二端耦接于該定電壓產生電路的該輸出端，及一控制端耦接于該放大器的該輸出端。

技術領域

本發明涉及一種參考電壓產生器，尤其涉及一種可提供實質上不受溫度影響的定電壓的參考電壓產生器。

背景技術

電路應用領域常有參考電壓供應的需求，常見的解決方案可例如為使用帶隙電壓(bandgap voltage)產生器等參考電壓產生電路，以提供參考電壓。然而，現有技術中的參考電壓產生電路中，控制電壓須低至例如1.2伏特，再使用運算放大器(operationalamplifier)放大此1.2伏特的電壓，從而得到3.3伏特的參考電壓。此架構須使用運算放大器，而運算放大器包含的補償電容將使電路面積不易縮減。此外，現有技術中的參考電壓產生電路，常有電源抑制比(power supply rejection ratio，PSRR)難以改善的情況，換言之，其所提供的參考電壓容易受到供應電源的噪聲影響。現有技術中的參考電壓產生電路亦有工藝(process)上的限制，例如難以使用砷化鎵(GaAs)異質結雙極型晶體管(Heterojunction Bipolar Transistor，HBT)工藝制造。舉例而言，現有技術中的參考電壓產生電路常須包含P型金氧半晶體管構成的電流源，又包含N型金氧半晶體管構成的電路，故不易使用砷化鎵工藝制造。

發明內容

本發明實施例提供一種參考電壓產生器包含一第一電阻、一第一晶體管、一第二晶體管、一第三晶體管、一第四晶體管、一第二電阻、一第三電阻、一第四電阻、一第五晶體管、一二極管單元及一第六晶體管。該第一電阻包含一第一端，及一第二端。該第一晶體管包含一第一端，一第二端耦接于該第一電阻的該第二端，及一控制端耦接于一操作節點。該第二晶體管包含一第一端，一第二端耦接于該第一電阻的該第一端，及一控制端耦接于該操作節點。該第三晶體管包含一第一端，一第二端耦接于該第一晶體管的該第一端，及一控制端耦接于該第三晶體管的該第一端。該第四晶體管包含一第一端，一第二端耦接于該第二晶體管的該第一端，及一控制端耦接于第三晶體管的該控制端。該第二電阻包含一第一端耦接于一輸出端，用以輸出一參考電壓，及一第二端耦接于該第四晶體管的該第一端。該第三電阻包含一第一端耦接于該第二電阻的該第一端，及一第二端耦接于該第三晶體管的該第一端。該第四電阻包含一第一端及一第二端。該第五晶體管包含一第一端耦接于該第四電阻的該第二端，一第二端，及一控制端耦接于該第四晶體管的該第一端。該二極管單元包含一第一端耦接于該第五晶體管的該第二端，及一第二端耦接于該第一電阻的該第二端。該第六晶體管包含一第一端耦接于該第四電阻的該第一端，一第二端耦接于該第二電阻的該第一端，及一控制端耦接于該第四電阻的該第二端。該操作節點耦接于該第一晶體管的該第一端或該第二晶體管的該第一端。

本發明另一實施例提供一種參考電壓產生器，包含一定電壓產生電路、一放大器、一二極管單元及一晶體管。該定電壓產生電路包含一輸出端用以輸出一參考電壓，一第一端具有一第一操作電壓，及一第二端。該放大器包含一輸入端耦接于該定電壓產生電路的該第一端，一輸出端，一第一端耦接于一第一電壓端，及一第二端。該二極管單元包含一第一端耦接于該放大器的該第二端，及一第二端耦接于該定電壓產生電路的該第二端及一第二電壓端。該晶體管包含一第一端耦接于該放大器的該第一端，一第二端耦接于該定電壓產生電路的該輸出端，及一控制端耦接于該放大器的該輸出端。